用于高性能鎖相環(huán)的CMOS振蕩器研究
[Abstract]:The increasingly popular wireless communication network speeds up the innovation and deployment of complex wireless equipment systems. The integration of RF integrated circuit design is an important direction of communication system development. Oscillator is the core component of communication system, its performance determines the index of the system to a great extent. The key performance parameters of the oscillator include operating frequency, adjustable range, phase noise (Phase Noise), power (Power Consumption) and so on. However, in different application scenarios and systems, the requirements for the oscillator are also quite different. For example, in the design of an injection-locked millimeter-wave oscillator, it is significant to reduce power consumption while satisfying the operating frequency range. However, in the lower frequency range of GHz, reducing power consumption, optimizing area and frequency coverage are common design requirements. Firstly, the topology type and circuit design of the mainstream oscillator are reviewed, and several key technologies are studied. In the design of millimeter-wave frequency injection locked oscillator, the low power technology is studied in this paper. By designing an injection structure at the power supply end, the oscillator can work at a lower voltage, taking into account other parameters at the same time. The circuit is verified in Tower JAZZ 0.18 渭 m SiGe BiCMOS process. The test results show that the oscillator can work at the frequency of 53.2GHz. The core circuit has a power consumption of 3 MW and an area of 0.24 mm / 2 at 0.7V power supply voltage. At the same time, the large bandwidth oscillator in GHz frequency range is studied. In this paper, the theoretical model and phase noise model of inductance voltage controlled oscillator are analyzed, and the influence of each module of multi-bit controlled oscillator on the Q value of oscillator is introduced. In this paper, the constant subband design of the circuit and the optimal discharge method of the oscillator phase noise are given, so that the frequency of each sub-band can meet the requirements of the target. The frequency range of the optimized oscillator is 3.62-4.35 GHz, the tunable gain Kvco ranges from 73.8MHz/ (0.8V) to 75.9MHz/ (0.8V), and the range is about 2.76. the phase noise can reach -117dBc / Hz at 1MHz. Some new oscillator structures, such as active inductor oscillator and transformer, are also introduced in this paper. This kind of PLL structure does not need the filter structure of traditional circuit, which greatly reduces the circuit area and cost. The designed current-mode PLL circuit can achieve the locking range of 5.12-5.4GHz, and the area of the core circuit module is only 8100 渭 m ~ 2.
【學(xué)位授予單位】:浙江大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號(hào)】:TN752
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,本文編號(hào):2177921
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