【摘要】：采用分子束外延法在250~700℃的Ge(111)襯底表面生長出鐵的鍺化物納米結構,原位掃描隧道顯微鏡觀察表明,在300℃以下,Ge(111)襯底上生長的鐵鍺化合物以三維島的形式存在,高于此溫度,Ge(111)襯底上將生長出短棒和納米線形狀的鐵鍺化合物。當溫度高于550℃時,Ge(111)襯底上只有納米線生成,且納米線沿著1-10三個等價方向生長,具有三重對稱性。掃描隧道譜測量表明,三維島具有金屬特性而短棒和納米線則呈現(xiàn)半導體性質。此外,X射線光電子能譜測試表明,相對于三維島,納米線的Fe2p3/2和Fe2p1/2峰向低結合能方向發(fā)生了移動,進一步證明了從三維島到納米線發(fā)生了相變。
[Abstract]:Fe germanide nanostructures were grown on the surface of GE (111) substrate at 250 ~ 700 鈩，

本文編號：2176978