發(fā)布時(shí)間：2018-07-29 16:36

【摘要】：針對(duì)碳化硅肖特基二極管的關(guān)鍵技術(shù),促進(jìn)國(guó)內(nèi)碳化硅肖特基二極管有理論研究走向?qū)嶋H產(chǎn)品并向應(yīng)用發(fā)展,力求解決碳化硅肖特基二極管設(shè)計(jì)及制造過程中的技術(shù)問題,深入分析氧化技術(shù),刻蝕技術(shù),摻雜技術(shù),金屬化技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù),研制出碳化硅肖特基二極管器件,并且器件技術(shù)指標(biāo)良好。器件已應(yīng)用在開關(guān)模式電源的有源功率因數(shù)校正和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等電源轉(zhuǎn)換方面,達(dá)到了漏電流小,通態(tài)電阻低,高溫工作穩(wěn)定性良好等要求。
[Abstract]:In view of the key technology of silicon carbide Schottky diode, the domestic silicon carbide Schottky diode has the theoretical research to the actual product and the application development, and tries to solve the technical problems in the design and manufacture of the silicon carbide Schottky diode. The key technologies such as oxidation etching doping metallization and so on are analyzed and the silicon carbide Schottky diode devices are developed and the technical specifications of the devices are good. The device has been used in switching mode power supply such as active power factor correction and motor driver power conversion. It has achieved the requirements of low leakage current, low on-state resistance and good stability at high temperature.
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所;西藏軍區(qū)77505部隊(duì);
【分類號(hào)】：TN311.7

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本文編號(hào)：2153310