【摘要】：采用改進(jìn)的雙溫區(qū)水平籽晶氣相升華法,生長(zhǎng)出尺寸為鐖15 mm×35 mm的完整Cd Se單晶體。經(jīng)X射線衍射儀、能譜分析儀和傅里葉紅外光譜儀的檢測(cè),Cd Se單晶粉末衍射譜與標(biāo)準(zhǔn)衍射峰吻合較好,單晶搖擺曲線半高寬0.5°;Cd、Se化學(xué)計(jì)量比等于1∶0.977,接近理想比;晶體在2.5~20.0μm紅外波段范圍內(nèi)的透過(guò)率T65%,吸收系數(shù)α0.1 cm-1。這些結(jié)果表明,采用本方法生長(zhǎng)的晶體結(jié)晶性較好、成分均勻、透過(guò)率較高,品質(zhì)良好,這對(duì)生長(zhǎng)類似高蒸氣壓、高熔點(diǎn)的III-V、II-VI族晶體,會(huì)有所幫助。
[Abstract]:A single CD se crystal with a size of 15 mm 脳 35 mm was grown by an improved gas sublimation method with horizontal seed in the double temperature region. The diffraction spectrum of CD se single crystal powder is in good agreement with the standard diffraction peak by X-ray diffractometer, energy spectrum analyzer and Fourier transform infrared spectrometer. The half maximum width of single crystal rocking curve is 0.5 擄and the stoichiometric ratio of CdSe is equal to 12: 0.977, which is close to the ideal ratio. The transmittance of the crystal is in the range of 2.5 渭 m and 20.0 渭 m, and the absorption coefficient is 偽 0.1 cm ~ (-1). These results show that the crystals grown by this method have good crystallinity, uniform composition, high transmittance and good quality, which is helpful for the growth of III-VN II-VI crystals with high vapor pressure and high melting point.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院安徽光學(xué)精密機(jī)械研究所安徽省光子器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué);
【基金】：中國(guó)科學(xué)院創(chuàng)新基金(CXJJ)
【分類號(hào)】：TN304.25;O78

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本文編號(hào)：2144265