【摘要】：通過對30mm×25mm尺寸的碲鎘汞材料和器件進行雙面平坦化工藝,使其平面度達到與Si讀出電路互連要小于2μm的要求,提高了MW1280×1024焦平面器件互連成品率。
[Abstract]:By making the 30mm 脳 25mm size HgCdTe materials and devices flat on both sides, the planeness of HgCdTe materials and devices can reach the requirement of less than 2 渭 m interconnect with Si readout circuit, and the finished product rate of MW1280 脳 1024 focal plane device is improved.
【作者單位】： 華北光電技術(shù)研究所;
【基金】：國防基礎(chǔ)科研計劃項目(No.JCKY2016210B002)資助
【分類號】：TN21

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本文編號：2136284