液相外延原位Au摻雜碲鎘汞薄膜材料的研究
[Abstract]:In situ au doped HgCdTe thin films were prepared on zinc cadmium tellurium substrates by liquid phase epitaxy (LPE). X-ray double crystal diffractometer with metallographic microscope and Hall Hall measurement with secondary ion mass spectrometer were used. The au doped HgCdTe thin films were characterized by minority carrier lifetime measurements. The surface morphology and lattice quality of the au doped HgCdTe films were approximately the same as those of the conventional HgCdTe epitaxial materials, and the minority carrier lifetime was increased by at least one order of magnitude compared with the conventional materials. A 256 脳 256 detector chip with cutoff wavelength of 10 渭 m was successfully fabricated. The nonuniformity of response rate was 2.85 and the effective pixel rate was 99.2%.
【作者單位】: 華北光電技術(shù)研究所;
【分類號】:TN213
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本文編號:2134121
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