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銅導(dǎo)體漿料及其燒結(jié)工藝的研究

發(fā)布時(shí)間:2021-03-08 21:21
  電子漿料作為電子元器件的基礎(chǔ)材料,其需求量大、要求高。隨著貴金屬資源的稀缺及其日益增長(zhǎng)的價(jià)格,研發(fā)性能優(yōu)越、價(jià)格低廉的賤金屬漿料成為急需解決的問題。銅具備比金更加優(yōu)異的高頻特性和導(dǎo)電性,并且沒有銀離子遷移的問題,使銅漿成為新的研究熱點(diǎn)。本文研究了銅漿用密實(shí)銅粉的制備方法和銅漿的燒結(jié)工藝,以期制備出附著力高、導(dǎo)電性好的致密銅膜。利用XRD、SEM、TG-DSC、激光粒度分析儀、氮吸附比表面儀等對(duì)樣品進(jìn)行了表征,分析了銅粉及燒結(jié)工藝對(duì)銅膜微觀結(jié)構(gòu)和性能的影響。采用液相還原兩步法制備銅粉,以氧化亞銅顆粒為前驅(qū)體,考察了氧化亞銅對(duì)銅粉粒徑、形貌及性能的影響。同時(shí)探討了銅粉的振實(shí)密度對(duì)銅膜微觀結(jié)構(gòu)和性能的影響。結(jié)果表明:在不同葡萄糖濃度和PVP加入量的條件下,可以制備出粒徑不同的立方體、球形和八面體氧化亞銅顆粒。以立方體氧化亞銅為前驅(qū)體制備的銅粉更密實(shí),得到的銅粉為球形、分散性好、比表面積小、粒徑分布窄,其振實(shí)密度達(dá)到4.0g/cm3,適用于導(dǎo)電銅漿。而采用高振實(shí)密度銅粉燒結(jié)制備的銅膜,其膜層致密度高、附著力大、方阻小、可焊性良好。通過考察升溫速率,燒結(jié)溫度和保溫時(shí)間等燒結(jié)條件,得到了較優(yōu)的銅漿燒結(jié)工藝:低溫段(23-500℃)升溫速率為75℃/min;高溫段(500-850℃)升溫速率為70℃/min;燒結(jié)溫度為850℃;保溫時(shí)間為8min。在此燒結(jié)工藝下制備的銅膜具備組織致密、附著力高、方阻小、可焊性良好等特點(diǎn),其中附著力為0.944kg/mm2,方阻為2.1mΩ。

【文章來源】:昆明理工大學(xué)云南省
 
【文章頁數(shù)】:78 頁
 
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
 
【文章目錄】:
 
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 銅導(dǎo)體漿料簡(jiǎn)介
        1.2.1 銅導(dǎo)體漿料的分類
        1.2.2 銅導(dǎo)體漿料發(fā)展歷史
            1.2.2.1 國(guó)外發(fā)展歷史
            1.2.2.2 國(guó)內(nèi)發(fā)展歷史
        1.2.3 銅導(dǎo)體漿料的應(yīng)用和研究
            1.2.3.1 固化型銅導(dǎo)體漿料的應(yīng)用和研究
            1.2.3.2 燒結(jié)型銅導(dǎo)體漿料的應(yīng)用和研究
        1.2.4 燒結(jié)型銅導(dǎo)體漿料組成的研究和進(jìn)展
            1.2.4.1 導(dǎo)電相
            1.2.4.2 粘結(jié)相
            1.2.4.3 有機(jī)載體
    1.3 存在的問題
    1.4 本課題的研究背景和研究意義
    1.5 本課題的研究?jī)?nèi)容
第二章 實(shí)驗(yàn)理論基礎(chǔ)
    2.1 前驅(qū)體和銅粉制備的理論基礎(chǔ)
        2.1.1 晶體的形核與生長(zhǎng)
        2.1.2 形貌控制機(jī)理和方法
            2.1.2.1 形貌控制機(jī)理
            2.1.2.2 形貌控制方法
        2.1.3 粒徑控制機(jī)理和方法
            2.1.3.1 粒徑控制機(jī)理
            2.1.3.2 粒徑控制方法
    2.2 燒結(jié)銅膜制備的理論基礎(chǔ)
        2.2.1 銅導(dǎo)體漿料的燒結(jié)機(jī)理
            2.2.1.1 有機(jī)載體揮發(fā)
            2.2.1.2 粘結(jié)相軟化燒結(jié)
            2.2.1.3 粘結(jié)相帶動(dòng)導(dǎo)電相重排
            2.2.1.4 導(dǎo)電相溶解沉淀
            2.2.1.5 液相固化收縮
        2.2.2 燒結(jié)銅膜的導(dǎo)電機(jī)理
第三章 實(shí)驗(yàn)方法
    3.1 實(shí)驗(yàn)原材料和儀器設(shè)備
    3.2 前驅(qū)體和銅粉的制備工藝
    3.3 燒結(jié)銅膜的制備工藝
    3.4 表征與測(cè)試
        3.4.1 前驅(qū)體和銅粉的表征及測(cè)試
        3.4.2 燒結(jié)銅膜的表征及測(cè)試
第四章 銅導(dǎo)體漿料用密實(shí)銅粉的制備
    4.1 前驅(qū)體的制備
        4.1.1 實(shí)驗(yàn)過程
        4.1.2 前驅(qū)體物相分析
        4.1.3 葡萄糖濃度對(duì)前驅(qū)體的影響
        4.1.4 PVP加入量對(duì)前驅(qū)體的影響
            4.1.4.1 葡萄糖濃度為0.5mol/L的條件下PVP加入量對(duì)前驅(qū)體的影響
            4.1.4.2 葡萄糖濃度為0.7mol/L的條件下PVP加入量對(duì)前驅(qū)體的影響
            4.1.4.3 葡萄糖濃度為1.0mol/L的條件下PVP加入量對(duì)前驅(qū)體的影響
    4.2 銅粉的制備
        4.2.1 實(shí)驗(yàn)過程
        4.2.2 銅粉的物相分析
        4.2.3 前驅(qū)體對(duì)銅粉的影響
            4.2.3.1 前驅(qū)體對(duì)銅粉粒徑和形貌的影響
            4.2.3.2 前驅(qū)體對(duì)銅粉密度的影響
            4.2.3.3 前驅(qū)體對(duì)銅粉比表面積的影響
        4.2.4 銅粉形成機(jī)理分析
    4.3 燒結(jié)銅膜的制備
        4.3.1 實(shí)驗(yàn)過程
        4.3.2 銅粉的振實(shí)密度對(duì)銅膜的影響
            4.3.2.1 銅膜SEM分析
            4.3.2.2 銅膜性能分析
    4.4 本章小結(jié)
第五章 銅導(dǎo)體漿料燒結(jié)工藝的研究
    5.1 實(shí)驗(yàn)過程
    5.2 升溫速率對(duì)銅膜的影響
        5.2.1 低溫段(23-500℃)升溫速率對(duì)銅膜的影響
            5.2.1.1 銅膜SEM分析
            5.2.1.2 銅膜性能分析
        5.2.2 高溫段(500-850℃)升溫速率對(duì)銅膜的影響
            5.2.2.1 銅膜SEM分析
            5.2.2.2 銅膜性能分析
    5.3 燒結(jié)溫度對(duì)銅膜的影響
        5.3.1 銅膜SEM分析
        5.3.2 銅膜性能分析
    5.4 保溫時(shí)間對(duì)銅膜的影響
        5.4.1 銅膜SEM分析
        5.4.2 銅膜性能分析
    5.5 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
附錄 (攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文)
 
參考文獻(xiàn)
 
期刊論文
 
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碩士論文
 
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[3]陶瓷散熱片用銅漿的制備[D]. 劉小麗.昆明理工大學(xué) 2010
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[7]銅系電子漿料的制備工藝及其穩(wěn)定性研究[D]. 彭舒.暨南大學(xué) 2008
[8]大功率厚膜電阻漿料的研究[D]. 楊華榮.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2004


本文編號(hào):2107128

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