本文選題：原子層沉積(ALD) + ZnO薄膜�。� 參考：《微納電子技術(shù)》2016年09期

【摘要】：采用熱型原子層沉積(T-ALD)和等離子體增強型原子層沉積(PEALD)技術(shù)在藍寶石襯底上制備ZnO,不采用任何摻雜手段,通過調(diào)節(jié)生長溫度、氧等離子體作用時間等參數(shù),制備了電阻率在6個數(shù)量級(10~(-3)~10~3Ω·cm)范圍內(nèi)變化的ZnO薄膜。采用去離子水作氧源的T-ALD制備的ZnO薄膜載流子濃度高達10~(19)/cm~3量級,載流子遷移率較高,薄膜電阻率較低,適用于透明導(dǎo)電薄膜;采用氧等離子體作為氧源PEALD制備的薄膜載流子濃度達到10~(17)/cm~3量級,適用于薄膜晶體管。還討論了不同生長工藝條件對薄膜晶型和表面形貌的影響。
[Abstract]:ZnO was prepared on sapphire substrate by thermal atomic layer deposition (T-ALD) and plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD). ZnO thin films with resistivity varying in the range of 10 ~ (-3) ~ (-3) ~ (3) ~ (3) 惟 cm have been prepared. The carrier concentration of ZnO thin films prepared by T-ALD with deionized water as oxygen source is 10 ~ (19) / cm ~ (3), the carrier mobility is high and the resistivity of thin films is low, which is suitable for transparent conductive films. The carrier concentration of thin film prepared by oxygen plasma as oxygen source PEALD is 10 ~ (17) / cm ~ (-3), which is suitable for thin film transistors. The effects of different growth conditions on the crystal shape and surface morphology of the films were also discussed.
【作者單位】： 集成電路測試技術(shù)北京市重點實驗室;中國科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室;
【基金】：國家重大科研儀器研制項目(61427901)
【分類號】：TN304.21

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4 李t，

本文編號：2099423