本文選題：原子層沉積(ALD) + ZnO薄膜　； 參考：《微納電子技術(shù)》2016年09期

【摘要】：采用熱型原子層沉積(T-ALD)和等離子體增強(qiáng)型原子層沉積(PEALD)技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上制備ZnO,不采用任何摻雜手段,通過(guò)調(diào)節(jié)生長(zhǎng)溫度、氧等離子體作用時(shí)間等參數(shù),制備了電阻率在6個(gè)數(shù)量級(jí)(10~(-3)~10~3Ω·cm)范圍內(nèi)變化的ZnO薄膜。采用去離子水作氧源的T-ALD制備的ZnO薄膜載流子濃度高達(dá)10~(19)/cm~3量級(jí),載流子遷移率較高,薄膜電阻率較低,適用于透明導(dǎo)電薄膜;采用氧等離子體作為氧源PEALD制備的薄膜載流子濃度達(dá)到10~(17)/cm~3量級(jí),適用于薄膜晶體管。還討論了不同生長(zhǎng)工藝條件對(duì)薄膜晶型和表面形貌的影響。
[Abstract]:ZnO was prepared on sapphire substrate by thermal atomic layer deposition (T-ALD) and plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD). ZnO thin films with resistivity varying in the range of 10 ~ (-3) ~ (-3) ~ (3) ~ (3) 惟 cm have been prepared. The carrier concentration of ZnO thin films prepared by T-ALD with deionized water as oxygen source is 10 ~ (19) / cm ~ (3), the carrier mobility is high and the resistivity of thin films is low, which is suitable for transparent conductive films. The carrier concentration of thin film prepared by oxygen plasma as oxygen source PEALD is 10 ~ (17) / cm ~ (-3), which is suitable for thin film transistors. The effects of different growth conditions on the crystal shape and surface morphology of the films were also discussed.
【作者單位】： 集成電路測(cè)試技術(shù)北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家重大科研儀器研制項(xiàng)目(61427901)
【分類(lèi)號(hào)】：TN304.21

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 馮士維;李瑛;孫靜瑩;謝雪松;楊集;張躍宗;盧毅成;;ZnO紫外光電導(dǎo)型探測(cè)器的制備與研究[J];北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào);2007年07期

2 姚輝;張希清;藍(lán)鎮(zhèn)立;宋宇晨;王永生;;以ZnO為空穴緩沖層的高效率有機(jī)電致發(fā)光器件[J];光電子.激光;2007年07期

3 陳洪存,王矜奉,劉華,趙連義;大通流高電壓高α值ZnO壓敏電阻器[J];電子元件與材料;2000年04期

4 鄧宏;徐自強(qiáng);謝娟;李燕;祖小濤;李言榮;;ZnO基紫外探測(cè)器研究進(jìn)展[J];物理;2006年07期

5 張樹(shù)高,奉冬文,王燕鳴,季幼章,王克逸;ZnO壓敏電阻器在汽車(chē)上的應(yīng)用[J];傳感器技術(shù);1994年05期

6 霍建華,賈廣平,何欣,高長(zhǎng)安;同時(shí)提高ZnO壓敏電阻器的靜態(tài)性能及沖擊性能的方法[J];電瓷避雷器;2001年05期

7 郭征新;曹全喜;李恒喜;;ZnO壓敏電阻器性能的改進(jìn)[J];壓電與聲光;2009年01期

8 張連俊;ZnO壓敏電阻器非歐姆特性的分析[J];傳感技術(shù)學(xué)報(bào);1999年01期

9 周東祥,解戰(zhàn)英,付明,龔樹(shù)萍,王禮瓊;硼硅玻璃摻雜對(duì)ZnO壓敏電阻器電性能的影響[J];電子元件與材料;2000年03期

10 曹全喜,籍聰麟,梁燕萍,陳立軍,周曉華;ZnO壓敏電阻器復(fù)合添加劑制備技術(shù)[J];壓電與聲光;2001年04期

相關(guān)會(huì)議論文 前10條

1 范科;彭天右;顏昌建;陳俊年;李仁杰;;ZnO微米花散射層在染料敏化太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用[A];第十三屆全國(guó)太陽(yáng)能光化學(xué)與光催化學(xué)術(shù)會(huì)議學(xué)術(shù)論文集[C];2012年

2 阮永豐;井紅旗;黃伯賢;;多孔氧化鋁模板內(nèi)的ZnO發(fā)光的頻移[A];華北地區(qū)硅酸鹽學(xué)會(huì)第八屆學(xué)術(shù)技術(shù)交流會(huì)論文集[C];2005年

3 李倩;范文宏;楊秀平;;水體中納米ZnO、普通ZnO及Zn~(2+)對(duì)鯽魚(yú)的生態(tài)毒性研究[A];第六屆全國(guó)環(huán)境化學(xué)大會(huì)暨環(huán)境科學(xué)儀器與分析儀器展覽會(huì)摘要集[C];2011年

4 邱曉清;李莉萍;;溶劑熱合成高度晶化的ZnO和Zn_(1-x)Co_xO納米棒及其生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)的研究[A];第14屆全國(guó)晶體生長(zhǎng)與材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2006年

5 張銀珠;呂建國(guó);葉志鎮(zhèn);汪雷;趙炳輝;;直流反應(yīng)磁控濺射N(xiāo)摻雜p型ZnO薄膜的生長(zhǎng)及其特性[A];2002年材料科學(xué)與工程新進(jìn)展（下）——2002年中國(guó)材料研討會(huì)論文集[C];2002年

6 樊發(fā)英;馮俊婷;羅瑞賢;陳靄藩;李殿卿;;ZnO量子點(diǎn)的可控合成及焙燒對(duì)產(chǎn)物形貌和氣敏性能的影響[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)第28屆學(xué)術(shù)年會(huì)第4分會(huì)場(chǎng)摘要集[C];2012年

7 李盛濤;;ZnO壓敏電阻片的基礎(chǔ)研究和技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)[A];中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)第八屆學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2004年

8 張新華;陳翌慶;程銀芬;;染料敏化太陽(yáng)能電池用三維海膽狀ZnO微納結(jié)構(gòu)光陽(yáng)極的合成與光電轉(zhuǎn)換性能研究[A];2011中國(guó)材料研討會(huì)論文摘要集[C];2011年

9 熊煥明;;ZnO發(fā)光量子點(diǎn)及其在生物技術(shù)中的應(yīng)用[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)第十二屆膠體與界面化學(xué)會(huì)議論文摘要集[C];2009年

10 熊煥明;;ZnO發(fā)光量子點(diǎn)在生物成像與納米載藥中的應(yīng)用[A];第十二屆固態(tài)化學(xué)與無(wú)機(jī)合成學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2012年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條

1 呂金鵬;ZnO缺陷調(diào)控及其波譜學(xué)研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2015年

2 方鉉;ZnO核殼納米結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)及其光電器件特性研究[D];長(zhǎng)春理工大學(xué);2015年

3 張永哲;摻雜ZnO光學(xué)性質(zhì)及染料敏化太陽(yáng)能電池研究[D];蘭州大學(xué);2009年

4 李t，

本文編號(hào)：2099423