本文選題：半導(dǎo)體 + 電路��； 參考：《強(qiáng)激光與粒子束》2016年11期

【摘要】：基于半導(dǎo)體器件的物理模型,聯(lián)立并求解由電磁場(chǎng)、半導(dǎo)體物理及熱力學(xué)方程構(gòu)成的多物理場(chǎng)方程組,實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件及電路的電磁效應(yīng)計(jì)算。為了更加準(zhǔn)確地仿真半導(dǎo)體器件的溫度變化,深入研究了多物理場(chǎng)計(jì)算中的熱邊界條件。以肖特基二極管HSMS-282c為例,采用多物理場(chǎng)算法仿真并對(duì)比了器件在相同激勵(lì)(幅值為2V的階躍脈沖)、不同邊界條件下的溫度變化情況。實(shí)際測(cè)量了器件在正向偏置下的表面溫度,并于多物理場(chǎng)計(jì)算結(jié)果進(jìn)行對(duì)比。結(jié)果表明,采用熱對(duì)流邊界可以準(zhǔn)確仿真半導(dǎo)體器件的熱效應(yīng)。
[Abstract]:Based on the physical model of semiconductor devices, the multi-physical field equations composed of electromagnetic field, semiconductor physics and thermodynamics equations are solved simultaneously, and the electromagnetic effects of semiconductor devices and circuits are calculated. In order to simulate the temperature change of semiconductor devices more accurately, the thermal boundary conditions in multi-physical field calculation are studied in detail. Taking the Schottky diode HSMS-282c as an example, the temperature variation of the device under the same excitation (2V amplitude) and different boundary conditions is simulated and compared by using multi-physical field algorithm. The surface temperature of the device under forward bias is measured and compared with the calculated results of multiple physical fields. The results show that the thermal effect of semiconductor devices can be accurately simulated by using thermal convection boundary.
【作者單位】： 河南理工大學(xué)物理與電子信息學(xué)院;四川大學(xué)電子信息學(xué)院;
【分類號(hào)】：TN701

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