本文選題：肖特基二極管 + 直流及高頻特性�。� 參考：《電子器件》2017年01期

【摘要】：采用分段提參的方法,針對(duì)SMIC 130 nm CMOS工藝下CoSi_2-Si肖特基二極管的直流及高頻特性建立統(tǒng)一模型。直流時(shí)除了熱發(fā)射效應(yīng),也考慮了勢(shì)壘不均勻效應(yīng)、大注入效應(yīng)及隧穿效應(yīng)的影響。高頻時(shí),在直流特性基礎(chǔ)上特別考慮了襯底以及金屬寄生效應(yīng)的影響。該模型直流擬合誤差為1.26%,高頻時(shí)在整個(gè)測(cè)試頻段(1 GHz~67 GHz)內(nèi)電阻、電容擬合誤差分別為3.16%和2.25%。據(jù)我們所知,這是首次針對(duì)CoSi_2-Si肖特基二極管建立完整模型,考慮直流及高頻特性并給出了相應(yīng)的提參步驟。
[Abstract]:A unified model for the DC and high frequency characteristics of CoSiS _ 2-Si Schottky diodes in SMIC 130nm CMOS process is established by means of piecewise extraction of parameters. In addition to the thermal emission effect, the effect of barrier inhomogeneity, large injection effect and tunneling effect are also considered. At high frequency, the effect of substrate and metal parasitism is specially considered on the basis of DC characteristics. The DC fitting error of the model is 1.26 and the capacitance fitting error is 3.16% and 2.25% respectively in the whole test band (1 GHz ~ 67 GHz) at high frequency. As far as we know, this is the first time to establish a complete model for CoSi2-Si Schottky diodes. The DC and high frequency characteristics are considered and the corresponding steps are given.
【作者單位】： 清華大學(xué)微納電子系;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61176034)
【分類號(hào)】：TN311.7

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本文編號(hào)：2081588