基于恒功耗的CMOS低噪聲放大器噪聲系數(shù)優(yōu)化計(jì)算
本文選題:恒功耗 + 低噪聲放大器 ; 參考:《電子技術(shù)應(yīng)用》2017年02期
【摘要】:在恒功耗條件下,通過(guò)考慮以往被忽略掉的柵極寄生阻抗和外加電容對(duì)噪聲放大器噪聲系數(shù)的影響,結(jié)合低噪聲放大器(LNA)的等效小信號(hào)模型,推導(dǎo)出噪聲系數(shù)表達(dá)式,提出恒功耗條件下噪聲優(yōu)化的方法。同時(shí)對(duì)提出的噪聲系數(shù)優(yōu)化方法進(jìn)行MATLAB理論仿真,在ADS軟件中對(duì)理論結(jié)果進(jìn)行仿真驗(yàn)證。
[Abstract]:Under the condition of constant power consumption, considering the influence of parasitic impedance of gate and external capacitance on noise coefficient of noise amplifier, the expression of noise coefficient is derived by combining the equivalent small signal model of low noise amplifier (LNA). A method of noise optimization under constant power consumption is proposed. At the same time, the proposed optimization method of noise coefficient is simulated by MATLAB, and the theoretical results are verified in ads software.
【作者單位】: 西南科技大學(xué)信息工程學(xué)院;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金(69901003)
【分類(lèi)號(hào)】:TN722.3
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,本文編號(hào):2073779
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