本文選題：鍺硅異質(zhì)結(jié)器件 + 超結(jié)結(jié)構(gòu)　； 參考：《微電子學(xué)》2017年03期

【摘要】：對(duì)高頻SiGe HBT器件的擊穿特性進(jìn)行了研究。借助TCAD仿真工具,對(duì)超結(jié)結(jié)構(gòu)引入器件集電區(qū)后的擊穿特性進(jìn)行了分析,提出了一種采用分裂浮空埋層結(jié)構(gòu)(SBFL)的SiGe異質(zhì)結(jié)器件。這種結(jié)構(gòu)改善了器件的內(nèi)部電場(chǎng)分布,電場(chǎng)分布由原來(lái)的單三角形分布變成雙三角形分布。仿真結(jié)果表明,該器件結(jié)構(gòu)的擊穿電壓由原有的3.6V提高到5.4V,提高了50%。
[Abstract]:The breakdown characteristics of high frequency SiGe HBT devices are studied . By means of the TCAD simulation tool , the breakdown characteristics of the super junction structure are analyzed and a SiGe heterojunction device with split floating buried layer structure ( SBFL ) is proposed . The structure improves the internal electric field distribution of the device . The distribution of the electric field is changed from the original single triangle distribution to the double triangle distribution . The simulation results show that the breakdown voltage of the device structure is increased from 3.6 V to 5.4 V , which is improved by 50 % .
【作者單位】： 重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院;模擬集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所;
【基金】：模擬集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金資助項(xiàng)目(0C09YJTJ1501)
【分類號(hào)】：TN322.8

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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8 陳星弼 ,，

本文編號(hào)：2066675