發(fā)布時間：2018-06-24 22:46

  本文選題：金屬氧化物半導體場效應晶體管 + 結勢壘��； 參考：《電力電子技術》2017年08期

【摘要】：介紹了結勢壘控制肖特基整流器(JBS)和JBS集成碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)(SiC JMOS)的特性。JMOS通過將DMOS和JBS合并于單片SiC器件,無需任何額外的工藝和面積。當SiC MOSFET中的寄生體二極管導通時,集成的JBS還可以防止由于注入的少數(shù)載流子的復合而導致的位錯缺陷轉變?yōu)槎讯鈱渝e的潛在風險。進行特征比較,并構建一個測試平臺,以驗證SiC JMOS比傳統(tǒng)SiC DMOS的效率和可靠性有所提高。實驗結果表明,SiC JMOS能以更低的成本和更高的功率密度獲得更好的系統(tǒng)性能和可靠性。
[Abstract]:This paper introduces the characteristics of the junction barrier controlled Schottky rectifier (JBS) and JBS integrated silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) (sic JMOS). When the parasitic diode in sic MOSFET is switched on, the integrated JBS can also prevent the potential risk that the dislocation defects caused by the recombination of injected minority carriers can be converted into stacking faults. To verify the efficiency and reliability of sic JMOS compared with traditional sic DMOS, a testing platform was constructed. The experimental results show that sic JMOS can achieve better system performance and reliability with lower cost and higher power density.
【作者單位】： 瀚薪科技股份有限公司;
【分類號】：TN311.7

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本文編號：2063317