本文選題：金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 + 結(jié)勢(shì)壘��； 參考：《電力電子技術(shù)》2017年08期

【摘要】：介紹了結(jié)勢(shì)壘控制肖特基整流器(JBS)和JBS集成碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)(SiC JMOS)的特性。JMOS通過(guò)將DMOS和JBS合并于單片SiC器件,無(wú)需任何額外的工藝和面積。當(dāng)SiC MOSFET中的寄生體二極管導(dǎo)通時(shí),集成的JBS還可以防止由于注入的少數(shù)載流子的復(fù)合而導(dǎo)致的位錯(cuò)缺陷轉(zhuǎn)變?yōu)槎讯鈱渝e(cuò)的潛在風(fēng)險(xiǎn)。進(jìn)行特征比較,并構(gòu)建一個(gè)測(cè)試平臺(tái),以驗(yàn)證SiC JMOS比傳統(tǒng)SiC DMOS的效率和可靠性有所提高。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,SiC JMOS能以更低的成本和更高的功率密度獲得更好的系統(tǒng)性能和可靠性。
[Abstract]:This paper introduces the characteristics of the junction barrier controlled Schottky rectifier (JBS) and JBS integrated silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) (sic JMOS). When the parasitic diode in sic MOSFET is switched on, the integrated JBS can also prevent the potential risk that the dislocation defects caused by the recombination of injected minority carriers can be converted into stacking faults. To verify the efficiency and reliability of sic JMOS compared with traditional sic DMOS, a testing platform was constructed. The experimental results show that sic JMOS can achieve better system performance and reliability with lower cost and higher power density.
【作者單位】： 瀚薪科技股份有限公司;
【分類(lèi)號(hào)】：TN311.7

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本文編號(hào)：2063316