本文選題：靜電場(chǎng) + 壓印　； 參考：《光學(xué)精密工程》2017年03期

【摘要】：介紹了一種靜電場(chǎng)輔助的新型微壓印光刻技術(shù),并對(duì)其工藝過(guò)程進(jìn)行了深入的理論研究。首先,采用數(shù)值仿真軟件COMSOL~(TM) Multiphysics,建立了靜電場(chǎng)輔助的壓印光刻瞬態(tài)仿真分析模型,討論了不同時(shí)域微結(jié)構(gòu)的演化過(guò)程。然后,詳細(xì)分析了微結(jié)構(gòu)的成型與仿真實(shí)驗(yàn)參數(shù)的定性關(guān)系,發(fā)現(xiàn):適當(dāng)?shù)販p小極板間距、模板凸起結(jié)構(gòu)周期,同時(shí)增加模板的凸起高度、初始聚合物薄膜厚度和電壓有助于微納結(jié)構(gòu)的成型。最后,通過(guò)仿真實(shí)驗(yàn)參數(shù)優(yōu)化,得到了帶有31μm中空結(jié)構(gòu)的球冠微結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)壓印方法相比,靜電場(chǎng)輔助的微壓印技術(shù)工藝過(guò)程簡(jiǎn)單且成本較低,能夠廣泛應(yīng)用于微電子機(jī)械系統(tǒng)、光子學(xué)、遺傳學(xué)和組織系統(tǒng)等。
[Abstract]:A new type of microlithography assisted by electrostatic field is introduced, and its technological process is studied theoretically. Firstly, the transient simulation model of imprint lithography assisted by electrostatic field is established by using the numerical simulation software COMSOL ~ (TM) Multiphysics.The evolution process of different time-domain microstructures is discussed. Then, the qualitative relationship between the shaping of the microstructure and the parameters of the simulation experiment is analyzed in detail. It is found that the distance between the plates is reduced appropriately, the period of the bulge structure of the template is decreased, and the height of the bulge of the template is increased at the same time. The thickness and voltage of the initial polymer film are helpful to the formation of micro-nano structure. Finally, the spherical crown microstructures with 31 渭 m hollow structure are obtained by optimizing the simulation parameters. Compared with traditional imprint technology, electrostatic field assisted microimprint process is simple and low cost, and can be widely used in microelectromechanical systems, photonics, genetics and tissue systems.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);中國(guó)人民解放軍63861部隊(duì);中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(No.61475156,No.61361166004,No.51275504) 吉林省基金資助項(xiàng)目(No.20140519002JH,No.20140519007JH) 深圳市科創(chuàng)委基金資助項(xiàng)目(No.KQCX2015032416183981)
【分類(lèi)號(hào)】：TN305.7

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本文編號(hào)：2059490