本文選題：模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) + 柵壓自舉采樣開關(guān)　； 參考：《半導體技術(shù)》2017年09期

【摘要】：對模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的傳統(tǒng)開關(guān)電路的導通電阻進行了詳細的理論分析,提出了一種互補型柵壓自舉開關(guān)電路。該電路結(jié)構(gòu)相比于傳統(tǒng)開關(guān),通過少量的功耗代價換取了更優(yōu)的頻域性能,在不同工藝角下具有更好的魯棒性,適用于先進工藝下的低電壓工作環(huán)境�；パa型柵壓自舉開關(guān)電路采用28 nm工藝設計,在1 V的電源電壓下,對800 f F的負載電容進行速率為800 MS/s的采樣,在低頻輸入下(181.25 MHz)實現(xiàn)的無雜散動態(tài)范圍(SFDR)為89 d B,四倍奈奎斯特輸入頻率下(1 556 MHz)實現(xiàn)的SFDR為65 d B,開關(guān)電路面積為80μm×20μm。
[Abstract]:In this paper, the on-resistance of traditional switching circuit in A / D converter is analyzed in detail, and a complementary gate voltage bootstrap switching circuit is proposed. Compared with the traditional switch, the circuit structure gains better performance in frequency domain through a small power cost, and has better robustness under different process angles. It is suitable for low-voltage working environment in advanced technology. The complementary gate voltage bootstrap switching circuit is designed in a 28nm process. The load capacitance of 800F is sampled at the rate of 800ms / s at 1 V power supply voltage. The non-spurious dynamic range (SFDR) is 89 dB at low frequency input (181.25 MHz) and 65 dB at four times Nyquist input frequency (1 556 MHz). The switching circuit area is 80 渭 m 脳 20 渭 m.
【作者單位】： 復旦大學微電子學院專用集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室;
【分類號】：TN792

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本文編號：2052351