發(fā)布時間：2018-06-22 02:28

  本文選題：半導體激光器陣列 + 電光轉(zhuǎn)換效率��； 參考：《物理學報》2016年16期

【摘要】：通過設計高效率808 nm非對稱寬波導外延結構,減少P型波導層和包層的自由載流子光吸收,實現(xiàn)腔內(nèi)光吸收損耗為0.63 cm~(-1).制備的808 nm半導體激光器陣列在室溫25?C下,實現(xiàn)驅(qū)動電流135 A,工作電壓1.76 V,連續(xù)輸出功率大于150 W,斜率效率高達1.25 W/A,中心波長809.3 nm,器件最高電光轉(zhuǎn)換效率為65.5%,這是目前國內(nèi)報道的808 nm半導體激光器陣列的最高電光轉(zhuǎn)換效率,達到國際同類器件最好水平.
[Abstract]:By designing 808nm asymmetric wide waveguide epitaxial structure with high efficiency, the free carrier optical absorption of P-type waveguide layer and cladding layer is reduced, and the optical absorption loss in cavity is 0.63 cm ~ (-1). The 808 nm semiconductor laser array was fabricated at room temperature at 25 鈩，

本文編號：2051142