本文選題：混沌 + 半導(dǎo)體激光器��； 參考：《物理學(xué)報》2017年23期

【摘要】：混沌外腔半導(dǎo)體激光器輸出明顯存在弛豫振蕩特征,弛豫振蕩頻率小于外腔振蕩頻率時,外腔半導(dǎo)體激光器輸出態(tài)是短腔機制;反之,外腔半導(dǎo)體激光器輸出態(tài)是長腔機制.首先對比分析了弛豫振蕩頻率為5.6 GHz,腔長對頻譜有效帶寬的影響.然后同時調(diào)節(jié)注入電流和載流子壽命來大幅度地增加弛豫振蕩頻率.最后在弛豫振蕩頻率為40 GHz、腔長為毫米級(4—20 mm)時,實現(xiàn)由短腔機制到長腔機制的轉(zhuǎn)換,進而分析了外腔反饋率和外腔長對外腔半導(dǎo)體激光器頻譜帶寬的影響.分析結(jié)果表明:短腔機制下,輸出混沌態(tài)不穩(wěn)定,0.1 mm的偏差就會導(dǎo)致混沌態(tài)與非混沌態(tài)之間的轉(zhuǎn)化;長腔機制下,輸出混沌態(tài)穩(wěn)定,輸出混沌區(qū)域較大,證明長腔機制下更有益于獲得寬帶連續(xù)的混沌區(qū)域.在弛豫振蕩頻率為40 GHz、外腔長度為毫米級時,實現(xiàn)了外腔半導(dǎo)體激光器的長腔機制,從而增大了高帶寬混沌的參數(shù)空間.
[Abstract]:Relaxation oscillation is obvious in the output of chaotic external cavity semiconductor laser. When the frequency of relaxation oscillation is less than the frequency of external cavity oscillation, the output state of external cavity semiconductor laser is a short cavity mechanism, whereas the output state of external cavity semiconductor laser is a long cavity mechanism. Firstly, the influence of the cavity length on the effective bandwidth of the spectrum is compared with the relaxation oscillation frequency of 5.6 GHz. The relaxation oscillation frequency is greatly increased by adjusting the injection current and carrier lifetime simultaneously. Finally, when the relaxation oscillation frequency is 40 GHz and the cavity length is 4-20 mm), the conversion from the short cavity mechanism to the long cavity mechanism is realized. The influence of the external cavity feedback rate and the frequency spectrum bandwidth of the external cavity semiconductor laser is analyzed. The results show that under the short cavity mechanism, the error of 0.1 mm in output chaotic state will result in the transformation between chaotic state and non-chaotic state, and in long cavity mechanism, the output chaotic state will be stable, and the output chaotic region will be large. It is proved that the long cavity mechanism is more beneficial to obtain broadband continuous chaotic regions. When the frequency of relaxation oscillation is 40 GHz and the length of external cavity is millimeter, the long cavity mechanism of external cavity semiconductor laser is realized, thus increasing the parameter space of high bandwidth chaos.
【作者單位】： 太原理工大學(xué)新型傳感器與智能控制教育部重點實驗室;太原理工大學(xué)物理與光電工程學(xué)院光電工程研究所;
【基金】：國家國際科技合作專項(批準(zhǔn)號:2014DFA50870) 國家自然科學(xué)基金國家重大科研儀器研制項目(批準(zhǔn)號:61527819)資助的課題~~
【分類號】：TN248.4

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 黃以能,李新,丁勇,王業(yè)寧,尹會成;普適弛豫的統(tǒng)一模型[J];自然雜志;1998年01期

2 胡麗娜;張春芝;岳遠征;邊秀房;;研究玻璃轉(zhuǎn)變本質(zhì)的新起點——玻璃態(tài)的慢β弛豫[J];科學(xué)通報;2010年02期

3 趙興宇;衛(wèi)來;張麗麗;王麗娜;張晉魯;黃以能;;玻璃化轉(zhuǎn)變的分子串模型中分子串弛豫動力學(xué)的計算機模擬[J];伊犁師范學(xué)院學(xué)報(自然科學(xué)版);2010年01期

4 趙興宇;王麗娜;樊小輝;張麗麗;衛(wèi)來;張晉魯;黃以能;;玻璃化轉(zhuǎn)變的分子串模型中分子串弛豫模式的計算機模擬[J];物理學(xué)報;2011年03期

5 裘辛方,蔣濟良,萬世敏;海水中硼酸弛豫聲吸收機理的研究[J];聲學(xué)學(xué)報;1985年03期

6 張克聲;王殊;朱明;胡軼;賈雅瓊;;混合氣體聲復(fù)合弛豫頻譜的解析模型[J];物理學(xué)報;2012年17期

7 潘承志;;部分離解的SF_6分子中的非線性弛豫[J];激光與紅外;1987年04期

8 竇愷,張繼森,徐敘tb;卟啉酞菁二元分子光譜及激發(fā)態(tài)弛豫的非簡并四波混頻研究[J];光學(xué)學(xué)報;1993年05期

9 周鎮(zhèn)宏，范仰才，李景德;自由和隨機壓電弛豫[J];廣東工學(xué)院學(xué)報;1995年04期

10 倪嘉陵;聞平;;多體相互作用體系中的弛豫與擴散:一個尚未解決的問題[J];物理;2012年05期

相關(guān)會議論文 前10條

1 葉朝輝;許平;;多量子弛豫的直接測量[A];第五屆全國波譜學(xué)學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C];1988年

2 楊延武;吳冬輝;許肖龍;裘鑒卿;王德華;錢保功;;有部分峰重疊時NOESY譜的全弛豫矩陣分析[A];第七屆全國波譜學(xué)學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C];1992年

3 袁立曦;葛庭燧;;晶粒間界弛豫的溫度譜和頻率譜的對比研究[A];內(nèi)耗與超聲衰減——第四次全國固體內(nèi)耗與超聲衰減學(xué)術(shù)會議論文集[C];1994年

4 黃以能;;普適弛豫的一種新模型[A];內(nèi)耗與超聲衰減——第五屆全國固體內(nèi)耗與超聲衰減學(xué)術(shù)會議論文集[C];1997年

5 杜廣慶;陳烽;楊青;司金海;侯洵;;飛秒激光激發(fā)固體薄膜超快熱弛豫特性研究[A];2011西部光子學(xué)學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C];2011年

6 熊俊文;孫娟萍;夏丹;;Ba(Zr,Ti)O_3弛豫鐵電體的介電性能[A];湖北省物理學(xué)會、武漢物理學(xué)會2004’學(xué)術(shù)年會論文集[C];2004年

7 張興德;;半導(dǎo)體激光器的進展及其在軍事上的應(yīng)用[A];西部大開發(fā) 科教先行與可持續(xù)發(fā)展——中國科協(xié)2000年學(xué)術(shù)年會文集[C];2000年

8 陳良惠;;我國半導(dǎo)體激光器的新進展(報告內(nèi)容摘要)[A];光電技術(shù)與系統(tǒng)文選——中國光學(xué)學(xué)會光電技術(shù)專業(yè)委員會成立二十周年暨第十一屆全國光電技術(shù)與系統(tǒng)學(xué)術(shù)會議論文集[C];2005年

9 張玉馳;王曉勇;李剛;王軍民;張?zhí)觳?;自由運轉(zhuǎn)半導(dǎo)體激光器邊模間的強度起伏關(guān)聯(lián)[A];中國光學(xué)學(xué)會2006年學(xué)術(shù)大會論文摘要集[C];2006年

10 雷志鋒;黃云;楊少華;;半導(dǎo)體激光器的可靠性篩選和壽命評價[A];中國電子學(xué)會可靠性分會第十三屆學(xué)術(shù)年會論文選[C];2006年

相關(guān)重要報紙文章 前2條

1 周碩;日亞化學(xué)推出488nm波長半導(dǎo)體激光器[N];電子資訊時報;2008年

2 記者 齊芳邋通訊員 劉力;我國氮化鎵藍光半導(dǎo)體激光器研究取得重大突破[N];光明日報;2007年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條

1 董超;等離子體中溫度弛豫的理論研究[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2014年

2 盧林林;基于重構(gòu)等效啁啾技術(shù)的1.3μm DFB半導(dǎo)體激光器及其陣列研究[D];南京大學(xué);2014年

3 張欣;基于量子阱混雜技術(shù)的快速波長可切換Ⅴ型耦合腔半導(dǎo)體激光器研究[D];浙江大學(xué);2015年

4 王濤;高功率寬區(qū)半導(dǎo)體激光器側(cè)向光束質(zhì)量控制研究[D];中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所;2017年

5 涂娟;原子干涉儀用半導(dǎo)體激光器的智能穩(wěn)頻系統(tǒng)[D];中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院武漢物理與數(shù)學(xué)研究所);2016年

6 鄧軍;半導(dǎo)體激光器驅(qū)動模式與可靠性研究[D];吉林大學(xué);2008年

7 郜峰利;半導(dǎo)體激光器低頻電噪聲的特性及其檢測技術(shù)研究[D];吉林大學(xué);2008年

8 馮列峰;半導(dǎo)體激光器光電特性的研究[D];天津大學(xué);2007年

9 李再金;半導(dǎo)體激光器腔面光學(xué)膜關(guān)鍵技術(shù)研究[D];中國科學(xué)院研究生院（長春光學(xué)精密機械與物理研究所）;2010年

10 常國龍;半導(dǎo)體激光器輻射效應(yīng)及影響研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2010年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 張敏妍;晶體表面重構(gòu)和弛豫的理論分析[D];陜西師范大學(xué);2009年

2 崔玉;鉍基焦綠石介電體的微結(jié)構(gòu)與低溫弛豫特性研究[D];西安科技大學(xué);2011年

3 慕春紅;CaCu_3Ti_4O_（12）巨介電材料的弛豫特性及改性研究[D];陜西師范大學(xué);2008年

4 張雨;基于特殊外腔結(jié)構(gòu)自混合干涉理論的研究及實驗觀察[D];南京信息工程大學(xué);2016年

5 趙旺鵬;基于籠式共軸系統(tǒng)的可調(diào)諧外腔激光器[D];曲阜師范大學(xué);2016年

6 嚴(yán)地勇;激光二極管陣列外腔鎖相技術(shù)研究[D];四川大學(xué);2003年

7 張文甲;光柵外腔可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器的外腔反饋特性研究[D];華中科技大學(xué);2013年

8 舒文芳;弛豫補償?shù)墓腆w核磁共振定量分析方法[D];華東師范大學(xué);2011年

9 李惟帆;外腔增強激光非線性頻率變換及高效窄線寬太赫茲波的產(chǎn)生[D];天津大學(xué);2016年

10 張超;鈣鈦礦材料的光頻介電譜與低頻介電性研究[D];天津師范大學(xué);2012年

，

本文編號：2035838