本文選題：搭橋晶粒 + 多晶硅　； 參考：《液晶與顯示》2017年02期

【摘要】：本文主要研究了搭橋晶粒(BG)多晶硅薄膜晶體管(TFT)在柵交流電應(yīng)力下的退化行為和退化機(jī)制。在柵交流應(yīng)力下,動(dòng)態(tài)熱載流子效應(yīng)主導(dǎo)了器件的退化。器件退化只與柵脈沖下降沿有關(guān)。越快的下降沿帶來(lái)越大的動(dòng)態(tài)熱載流子退化。比起普通多晶硅TFT,BG多晶硅TFT的熱載流子退化大幅度減弱。通過(guò)選擇性的摻雜注入BG線,溝道中形成的PN結(jié)在反向偏置時(shí)可以有效分擔(dān)柵交流電應(yīng)力帶來(lái)的電壓差,從而減弱動(dòng)態(tài)熱載子退化。輔以瞬態(tài)模擬結(jié)果,柵交流電應(yīng)力下的退化機(jī)制被闡明。所有的測(cè)試結(jié)果都表明這種高性能高可靠性的BG多晶硅TFT在片上系統(tǒng)應(yīng)用中具有很大的應(yīng)用前景。
[Abstract]:In this paper, the degradation behavior and degradation mechanism of BG- (BG) polycrystalline silicon thin film transistor (TFTT) under gate alternating current stress are studied. The dynamic hot carrier effect dominates the degradation of the device under gate alternating current stress. The degradation of the device is only related to the descending edge of the gate pulse. The faster the descent edge, the larger the dynamic hot carrier degradation. Compared with the conventional polysilicon TFTBG, the hot carrier degradation of the polysilicon TFT is much weaker than that of the conventional polysilicon TFTBG. By selectively doping and injecting BG lines, the PN junction formed in the channel can effectively share the voltage difference caused by the gate alternating current stress in the reverse bias, thus reducing the degradation of the dynamic thermal carrier. Coupled with transient simulation results, the degradation mechanism under gate alternating current stress is clarified. All the test results show that the high performance and high reliability BG polysilicon TFT has great application prospect in the on-chip system.
【作者單位】： 香港科技大學(xué)先進(jìn)顯示與光電子技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：香港研究資助局主題研究計(jì)劃項(xiàng)目(NO.T23-713/11-1)~~
【分類號(hào)】：TN321.5

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本文編號(hào)：2031028