金剛石半導(dǎo)體材料和器件的研究現(xiàn)狀
本文選題:金剛石 + 遷移率 ; 參考:《微納電子技術(shù)》2017年04期
【摘要】:簡述了金剛石半導(dǎo)體材料的主要制備方法,以及摻雜技術(shù)及其在器件制備中應(yīng)用的研究現(xiàn)狀。重點介紹了微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)法制備高質(zhì)量金剛石的優(yōu)勢以及在生長速率、晶體尺寸和晶體質(zhì)量等方面的研究進(jìn)展及阻礙因素,并探討了實現(xiàn)金剛石大尺寸高質(zhì)量生長的方法。通過對金剛石進(jìn)行摻雜,可使其呈現(xiàn)p型和n型導(dǎo)電。總結(jié)了金剛石p型、n型摻雜及共摻雜的研究現(xiàn)狀,并分析了金剛石在摻雜過程中出現(xiàn)的問題,探討了p型摻雜和n型摻雜的研究方向。最后給出了金剛石在電力電子器件、探測器和場發(fā)射器件中的應(yīng)用現(xiàn)狀,并對金剛石的未來發(fā)展方向作出了展望。
[Abstract]:In this paper, the main preparation methods of diamond semiconductor materials and the research status of doping technology and their applications in the fabrication of diamond semiconductor materials are reviewed. The advantages of preparing high quality diamond by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) method and the research progress in growth rate, crystal size and crystal quality are introduced. The method to realize large-scale and high-quality diamond growth is also discussed. By doping diamond, it can show p-type and n-type conduction. The present situation of p-type and n-type doping and co-doping of diamond is summarized. The problems of diamond doping are analyzed, and the research direction of p-type doping and n-type doping is discussed. Finally, the application of diamond in power electronic devices, detectors and field emission devices is presented, and the future development of diamond is prospected.
【作者單位】: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料科學(xué)重點實驗室;中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所低維半導(dǎo)體材料與器件北京市重點實驗室;中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院;全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院;
【基金】:國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(863計劃)資助項目(2014AA052401) 北京市科技計劃項目(D16110300430000) 國網(wǎng)科技項目(5455DW150013)
【分類號】:TN304.18
【參考文獻(xiàn)】
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【共引文獻(xiàn)】
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【二級參考文獻(xiàn)】
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本文編號:2013344
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