本文選題：行間轉(zhuǎn)移 + CCD��； 參考：《半導(dǎo)體光電》2017年03期

【摘要】：分析了引起大面陣內(nèi)線轉(zhuǎn)移CCD直流短路的原因,確認(rèn)了二次金屬鋁刻蝕殘留是引起器件失效的主要原因。利用掃描電子顯微鏡技術(shù),研究了刻蝕工藝參數(shù)對(duì)內(nèi)線轉(zhuǎn)移CCD二次金屬鋁刻蝕殘留的影響。優(yōu)化了預(yù)刻蝕、主刻蝕和過刻蝕三個(gè)階段的工藝條件,消除了金屬鋁刻蝕殘留。采用優(yōu)化的工藝參數(shù)進(jìn)行二次金屬鋁刻蝕,器件直流成品率提高了30%。
[Abstract]:The causes of DC short circuit of large plane array inner line transfer CCD are analyzed. It is confirmed that the residual of secondary metal aluminum etching is the main cause of device failure. The effect of etching parameters on the residual of secondary metal aluminum etched by inner line transfer CCD was studied by scanning electron microscope (SEM). The process conditions of pre-etching, main etching and over-etching are optimized, and the residual of aluminum etch is eliminated. By using the optimized process parameters to etch the secondary metal aluminum, the DC yield of the device is increased by 30%.
【作者單位】： 重慶光電技術(shù)研究所;
【分類號(hào)】：TN386.5

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本文編號(hào)：2010628