本文選題：砷化鎵贗晶高電子遷移率晶體管 + 介質(zhì)空洞　； 參考：《微波學(xué)報(bào)》2017年04期

【摘要】：面向微波毫米波低噪聲放大電路對高性能低噪聲放大器件的需求,進(jìn)行0.15μm柵長GaAs PHEMT低噪聲器件制備工藝的開發(fā),在制備工藝中采用了歐姆特性優(yōu)異的復(fù)合帽層歐姆接觸、低寄生電容的介質(zhì)空洞柵結(jié)構(gòu)以及高擊穿電壓的雙槽結(jié)構(gòu)。在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了一款性能優(yōu)異的Ku波段低噪聲放大電路,電路在Ku頻段全頻帶(14~18 GHz)內(nèi)實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的性能,其噪聲系數(shù)小于1.3 d B,增益大于17 d B。電路采用5 V電源供電,功耗為250 m W,芯片面積為2 mm×1.6 mm;這款性能優(yōu)異的Ku頻段低噪聲放大器特別適用于高信噪比要求的衛(wèi)星通信等應(yīng)用。
[Abstract]:In order to meet the requirement of microwave millimeter wave low noise amplifying circuit for high performance low noise amplifier, the fabrication process of 0.15 渭 m gate length GaAs pHEMT low noise device is developed. The ohmic contact of composite cap layer with excellent ohmic characteristics is used in the fabrication process. The dielectric cavity gate structure with low parasitic capacitance and the double slot structure with high breakdown voltage. On this basis, a Ku band low noise amplifier circuit with excellent performance is implemented. The circuit achieves excellent performance in the full band of Ku band (14 ~ 18 GHz). The noise coefficient is less than 1.3 dB, and the gain is more than 17 dB. The circuit is powered by 5 V power supply, the power consumption is 250m W and the chip area is 2 mm 脳 1.6 mm. This Ku band low noise amplifier with excellent performance is especially suitable for satellite communication with high signal-to-noise ratio (SNR) requirements.
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所;
【分類號】：TN722.3

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本文編號：2007314