發(fā)布時間：2018-06-08 23:05

  本文選題：上升時間 + RS觸發(fā)器�。� 參考：《強(qiáng)激光與粒子束》2017年08期

【摘要】：對RS觸發(fā)器中金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的燒毀作用進(jìn)行研究,通過仿真分析在不同入射端口、不同上升時間的條件下RS觸發(fā)器的損傷閾值,結(jié)合其內(nèi)部溫度分布圖完成失效機(jī)理分析,進(jìn)而得出對于上升時間長的強(qiáng)電磁脈沖,需要更高的峰值場強(qiáng)、更長的時間才能將RS觸發(fā)器燒毀。
[Abstract]:The burning effect of metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) in RS trigger is studied. The damage threshold of RS flip-flop at different incidence ports and different rising time is simulated and analyzed, and the failure mechanism is analyzed with its internal temperature distribution diagram, and then the strong electromagnetic pulse with long rising time is obtained. The higher the peak field strength, the longer the time to burn the RS trigger.
【作者單位】： 北京宇航系統(tǒng)工程研究所;中國運(yùn)載火箭技術(shù)研究院;
【基金】：國家科技重大專項(xiàng)(2012ZX03003002-004)
【分類號】：TN783

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 米國浩;杜正偉;曹雷團(tuán);吳強(qiáng);陳曦;;脈沖寬度對核電磁脈沖燒毀RS觸發(fā)器效應(yīng)的影響[J];強(qiáng)激光與粒子束;2014年05期

【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前4條

1 張子劍;陳曦;李茜華;王，

本文編號：1997595