本文選題：激光技術(shù) + 脈沖激光��； 參考：《光學(xué)學(xué)報(bào)》2016年12期

【摘要】：對電荷耦合器件(CCD)硅基底的光照能量分布進(jìn)行了建模分析和實(shí)驗(yàn)研究。使用原子力顯微鏡和掃描電子顯微鏡獲取了CCD的關(guān)鍵光學(xué)參數(shù),即微透鏡表面函數(shù)和二氧化硅增厚層厚度。模擬了垂直入射平面光在硅基底表面的能量分布,并與飛秒激光輻照損傷CCD的實(shí)驗(yàn)圖像進(jìn)行了比對,二者吻合良好。研究結(jié)果表明,微透鏡與二氧化硅增厚層的共同作用使得激光能量幾乎完全輻照在感光區(qū),激光能量呈啞鈴形分布。
[Abstract]:The illumination energy distribution of the charge coupled device (CCD) silicon substrate is analyzed and experimentally studied. The key optical parameters of CCD were obtained by atomic force microscope (AFM) and scanning electron microscope (SEM), namely, the surface function of microlens and the thickness of silica thickening layer. The energy distribution of vertical incident plane light on the surface of silicon substrate is simulated and compared with the experimental images of CCD damaged by femtosecond laser irradiation. The results show that the laser energy is almost completely irradiated in the photosensitive region by the interaction of the microlens and the thickening layer of silica, and the laser energy is dumbbell shaped.
【作者單位】： 中國酒泉衛(wèi)星發(fā)射中心;
【分類號】：TN386.5

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本文編號：1995104