納米結(jié)構(gòu)氧化鎳緩沖層對(duì)藍(lán)色有機(jī)發(fā)光二極管性能的影響(英文)
本文選題:藍(lán)色有機(jī)發(fā)光二極管 + 陽(yáng)極緩沖層 ; 參考:《發(fā)光學(xué)報(bào)》2017年04期
【摘要】:在陽(yáng)極和空穴傳輸層分別引入氧化鎳納米結(jié)構(gòu)緩沖層,制備了藍(lán)色有機(jī)發(fā)光二極管,對(duì)二極管的電學(xué)和光學(xué)特性進(jìn)行了測(cè)試分析,研究了采用電化學(xué)方法制備的氧化鎳納米結(jié)構(gòu)對(duì)器件的影響。結(jié)果表明,納米結(jié)構(gòu)氧化鎳緩沖層能夠有效地提高空穴-電子對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合效率,它的引入帶來(lái)了高效的空穴注入及發(fā)光層中的載流子平衡,能有效提高有機(jī)發(fā)光二極管的電致發(fā)光特性。氧化鎳緩沖層沉積時(shí)間為30 s的器件具有最高的亮度和電流效率,分別為42 460 cd/m~2和24 cd/A,該器件的CIEx,y色坐標(biāo)為(0.212 9,0.325 2)。
[Abstract]:The blue organic light-emitting diodes (OLEDs) were prepared by introducing the nickel oxide nanostructure buffer layer into the anode and hole transport layers respectively. The electrical and optical properties of the diodes were tested and analyzed. The effect of nickel oxide nanostructure prepared by electrochemical method on the device was studied. The results show that the nanostructured nickel oxide buffer layer can effectively improve the generation and recombination efficiency of cavity-electron pairs, and its introduction leads to efficient hole injection and carrier equilibrium in the luminescent layer. It can effectively improve the electroluminescent characteristics of organic light-emitting diodes (OLEDs). The maximum luminance and current efficiency are 42 460 cd/m~2 and 24 CD / A when the deposition time of nickel oxide buffer layer is 30 s, respectively. The CIExy color coordinate of the device is 0.212 9 / 0.325 2.
【作者單位】: 蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院微電子研究所;甘肅省科學(xué)院傳感技術(shù)研究所;蘭州大學(xué)特殊功能材料與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;蘭州大學(xué)磁學(xué)與磁性材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:甘肅省自然科學(xué)基金(1606RJZA026) 蘭州市城關(guān)區(qū)科技計(jì)劃(2016cgkj280)資助項(xiàng)目~~
【分類號(hào)】:TN383.1
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