發(fā)布時(shí)間：2018-06-04 20:58

  本文選題：碳化硅(SiC) + 電感耦合等離子體(ICP)刻蝕��； 參考：《微納電子技術(shù)》2017年07期

【摘要】：SiC材料由于具有非常強(qiáng)的化學(xué)穩(wěn)定性與機(jī)械硬度,不能用酸或堿性溶液對(duì)其進(jìn)行腐蝕,在MEMS制備工藝中,通常采用干法刻蝕來制備SiC結(jié)構(gòu)。針對(duì)干法刻蝕中遇到的問題,比較了光刻膠、Al和Ni等多種掩膜材料對(duì)SiC刻蝕的影響以及SiC與掩膜材料的選擇比。實(shí)驗(yàn)證明,光刻膠作為掩膜,與SiC的選擇比約為1.67,并且得到的臺(tái)階垂直度較差。Al與SiC的選擇比約為7,但是致密性差,并且有微掩膜效應(yīng)。金屬Ni與SiC的選擇比約為20,并且得到的臺(tái)階比較垂直且刻蝕形貌良好。最后,使用Ni作為掩膜材料對(duì)SiC壓阻式加速度傳感器的背腔和壓敏電阻進(jìn)行了電感耦合等離子體(ICP)刻蝕。
[Abstract]:Because of its strong chemical stability and mechanical hardness, SiC materials can not be corroded by acid or alkaline solution. In the preparation of MEMS, dry etching is usually used to prepare SiC structure. In view of the problems encountered in dry etching, the effects of various mask materials, such as photoresist Al and Ni, on SiC etching and the ratio of SiC to mask materials were compared. The experimental results show that the selective ratio of photoresist to SiC is about 1.67, and the selectivity ratio of step perpendicularity to SiC is about 7, but the compactness is poor and there is micromask effect. The selective ratio of Ni to SiC is about 20, and the steps obtained are more vertical and the etching morphology is good. Finally, the back cavity and the varistor of the SiC piezoresistive accelerometer were etched by using Ni as the mask material.
【作者單位】： 中北大學(xué)儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;火箭軍駐7171軍事代表室;
【基金】：國家杰出青年基金自然基金資助項(xiàng)目(51225504)
【分類號(hào)】：TN304.24

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本文編號(hào)：1978804