本文選題：絕緣柵雙極型晶體管 + 結(jié)溫��； 參考：《微電子學(xué)》2017年03期

【摘要】：對近幾年國內(nèi)外的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)可靠性研究中的壽命預(yù)測解析模型進(jìn)行了分析。將其分為兩類:基于結(jié)溫的IGBT壽命預(yù)測模型和基于多變量的IGBT壽命預(yù)測模型,主要包括Conffin-Manson模型、Lesit模型、Norris-Landzberg模型和Bayerer模型。分析和討論了這幾種壽命預(yù)測模型,總結(jié)了相應(yīng)模型的優(yōu)缺點及構(gòu)建方法,提出了其發(fā)展趨勢和方向。
[Abstract]:The analytical model of life prediction in the reliability research of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) in recent years is analyzed. It can be divided into two categories: IGBT lifetime prediction model based on junction temperature and IGBT lifetime prediction model based on multivariate, including Conffin-Manson model, Lesit model, Norris-Landzberg model and Bayerer model. This paper analyzes and discusses these life prediction models, summarizes the advantages and disadvantages of the corresponding models and their construction methods, and puts forward the development trend and direction of the models.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【基金】：國家科技支撐計劃資助項目(2015BAA09B01) 國家自然科學(xué)基金資助項目(51377044) 河北省科技計劃資助項目(14214503D,13214303D)
【分類號】：TN322.8

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號：1973565