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大功率IGBT通用驅動器設計

發(fā)布時間:2018-06-02 06:51

  本文選題:IGBT驅動 + 變門極電阻; 參考:《哈爾濱工業(yè)大學》2015年碩士論文


【摘要】:從IGBT問世至今,其發(fā)展極其迅速,其應用范圍逐漸擴大,已遍布生活的多個方面,因此對于IGBT驅動器深入的研究也有了更深層次的意義。目前市面上大部分的大功率IGBT驅動器都是針對某款固定的IGBT模塊制造的,因此通用性較差,小部分可以適用于一定功率范圍內(nèi)的IGBT器件,但驅動性能一般,且其價格又普遍偏高,所以設計一款具有高兼容性且驅動性能優(yōu)良的IGBT驅動器對整個電力電子產(chǎn)業(yè)來說都具有極其重要的意義。本文分析了IGBT的結構及其工作原理,深入的研究了IGBT的工作特性,包括其開關特性、米勒效應。擎住效應等。然后利用Saber仿真軟件對英飛凌公司型號為FZ1500R33HE3的IGBT進行了建模與分析,并與該IGBT的實際參數(shù)和用戶手冊中提供的波形進行了對比。為之后驅動電路和保護電路的設計提供了仿真基礎。根據(jù)IGBT對驅動電路的要求,并針對目前市面上IGBT驅動模塊的不足,設計了驅動器的故障反饋功能與驅動器參數(shù)配置功能。為了更加精確的控制IGBT使其工作在最佳狀態(tài)和提高驅動器的兼容性,設計了變門極電阻的驅動電路設計方案。對IGBT的失效原因以及保護措施進行了分析,并對比傳統(tǒng)的過流保護方式,提出一種改進的過流保護策略。使IGBT驅動器能自動檢測出器件所處的故障類型,并采取不同的保護措施進行保護。最后根據(jù)以上的設計方案,完成了IGBT驅動器實物的制作,并在實測電路中對以上的理論進行驗證。
[Abstract]:Since the advent of IGBT, it has developed very rapidly, and its application scope has gradually expanded, which has spread over many aspects of life, so the in-depth study of IGBT drivers has a deeper significance. At present, most of the high-power IGBT drivers in the market are made for a fixed IGBT module, so they have poor versatility. A small part of them can be used for IGBT devices in a certain power range, but the driving performance is general. And its price is generally on the high side, so it is very important to design a IGBT driver with high compatibility and good driving performance for the whole power electronics industry. In this paper, the structure and working principle of IGBT are analyzed, and the working characteristics of IGBT, including its switching characteristics and Hans Muller effect, are studied. Hold on to, etc. Then the Saber simulation software is used to model and analyze the IGBT of Infineon Company as FZ1500R33HE3, and the results are compared with the actual parameters of the IGBT and the waveform provided in the user's manual. The simulation foundation is provided for the design of drive circuit and protection circuit. According to the requirement of IGBT to drive circuit and the deficiency of IGBT driver module on the market at present, the fault feedback function of driver and the configuration function of driver parameters are designed. In order to control the IGBT more accurately and improve the compatibility of the driver, the drive circuit with variable gate resistance is designed. The failure reasons and protection measures of IGBT are analyzed. Compared with the traditional overcurrent protection, an improved overcurrent protection strategy is proposed. The IGBT driver can automatically detect the fault type of the device and take different protection measures. Finally, according to the above design scheme, the IGBT driver is made, and the above theory is verified in the actual circuit.
【學位授予單位】:哈爾濱工業(yè)大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2015
【分類號】:TN322.8

【參考文獻】

相關期刊論文 前5條

1 葉立劍;鄒勉;楊小慧;;IGBT技術發(fā)展綜述[J];半導體技術;2008年11期

2 甘祥彬;崔楊;;大功率IGBT驅動技術的現(xiàn)狀與發(fā)展[J];變頻器世界;2007年10期

3 劉力濤;;IGBT驅動電路研究[J];電焊機;2011年06期

4 張黎;尹向陽;;IGBT驅動器的隔離技術分析[J];電源世界;2007年06期

5 蔣玉想;李征;;基于雙脈沖的IGBT及驅動電路測試方法[J];電子技術;2012年07期



本文編號:1967825

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