發(fā)布時間：2018-05-30 06:32

  本文選題：柔性電子產(chǎn)品 + 透明導電膜�。� 參考：《天津科技大學》2017年碩士論文

【摘要】：印刷電子技術可望帶來電子器件和顯示技術的革命,用印刷的方法取代目前制作硅基集成電路的PCB加工技術,將實現(xiàn)相關電子產(chǎn)品的大面積、柔性化、低成本以及綠色制造,推動太陽能電池、柔性顯示器等的技術發(fā)展。為了優(yōu)化傳統(tǒng)的PCB蝕刻工藝過程和剛性基材,滿足PCB板柔性、透明、高密度布線和優(yōu)良電學性能的要求,急需對當前柔性基底透明導電薄膜材料和制備技術進行探索。本論文致力于研究印刷電子產(chǎn)品的柔性化方法,利用低溫沉積技術和薄膜生長機理,制備出符合柔性電子器件基本性能要求的PET基納米氧化鋅透明導電膜,并對制備完成的透明導電膜進行性能表征和實際應用研究。薄膜制備方面,在密閉的聚四氟乙烯瓶中用Zn(N03)2和六亞甲基四胺的混合溶液作為生長液,采用檸檬酸根陰離子控制納米生長過程,在PET上二次生長001取向的納米氧化鋅薄膜;性能表征方面,對透明導電膜進行表面形態(tài)分析、光學性能分析以及電學性能分析;實際應用方面,經(jīng)過一個整體電子琴原理圖的設計后,采用印刷工藝制備電子琴的印制電路板,將透明導電膜作為印制電路板上的一部分——電子琴鍵,完成電子元器件的表面貼裝,3D打印電子琴盒,制作出一個完整的半柔性電子琴。實驗結果表明:(1)通過實驗條件的優(yōu)化,制備出微觀形貌表現(xiàn)最佳的納米氧化鋅透明導電膜。該膜制備的最佳反應條件如下:生長液Zn(NO3)2的濃度為0.01～0.06mol/L,六亞甲基四胺的濃度為0.001mol/L,控制納米生長行為的檸檬酸根陰離子的濃度為1mg～2mg。(2)光學性能參數(shù):氧化鋅透明導電膜光學性能合格,可見光范圍內(nèi)的平均透射率為76.60%。(3)電學性能參數(shù):納米氧化鋅透明導電膜樣品電阻率最大值2.947Ω·cm,最小值1.73Ω·cm,平均值1.9691Ω·cm,樣品電阻率最大百分變化70.35%;方塊點阻最大值19.88Ω/□,最小值16.82Ω/□,平均值為18.334Ω/□,樣品方阻值最大百分變化70.35%。(4)以PET為基材的納米氧化鋅透明導電膜,能夠取代電子琴印刷電路板的剛性基板及表層電路,并能夠依靠優(yōu)良的電學性能取代PCB的電子元器件達到整個電子產(chǎn)品的柔性化,同時結合印刷技術,可以開發(fā)具有競爭力的柔性電子產(chǎn)品,其產(chǎn)業(yè)化具有非常廣闊的前景。
[Abstract]:In order to optimize the traditional PCB etching process and the rigid base material , the transparent conductive film of PET - based nano - zinc oxide with the basic performance of the flexible electronic device is developed . ( 3 ) Electrical performance parameters : The resistivity of the nanometer zinc oxide transparent conductive film is 2.947 惟 路 cm , the minimum value is 1.73惟 路 cm , the average value is 1.9691 惟 路 cm , the maximum percentage change of sample resistivity is 70.35 % , the average value is 18.334 惟 / 鈻，

本文編號：1954291