發(fā)布時(shí)間：2018-05-29 23:12

  本文選題：化學(xué)氣相淀積 + 高密度等離子體化學(xué)氣相淀積�。� 參考：《天津大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：隨著集成電路制造業(yè)的發(fā)展,小型化、微型化導(dǎo)致對工藝技術(shù)水平的要求越來越高。其中,薄膜淀積技術(shù)(CVD)起到了很重要的推動(dòng)作用。而高密度等離子體氣相淀積工藝是一種優(yōu)良的薄膜淀積技術(shù),以其優(yōu)越的性能在集成電路制造中發(fā)揮了重要的作用。本文以化學(xué)氣相沉積工藝為基礎(chǔ),以高密度等離子體氣相淀積工藝為研究對象,討論了集成電路制造中薄膜淀積技術(shù)這一重要的生產(chǎn)步驟,對薄膜淀積技術(shù)與工藝做了介紹,比較了四種常見的薄膜淀積工藝之間的區(qū)別與聯(lián)系。對高密度等離子體氣相淀積工藝的工藝特點(diǎn)、工藝原理、淀積設(shè)備和測量內(nèi)容做了詳細(xì)的說明。針對生產(chǎn)過程中經(jīng)常出現(xiàn)的金屬層中的電漿損傷缺陷導(dǎo)致的良率低的問題,進(jìn)行了分析和研究。通過對金屬層電漿損傷的現(xiàn)象的產(chǎn)生機(jī)理、形成原因、影響因素的研究,以及工作經(jīng)驗(yàn)的總結(jié)和實(shí)驗(yàn),提出了減少金屬層電漿損傷現(xiàn)象出現(xiàn)的改善方法。從而提高了生產(chǎn)效率和工藝的穩(wěn)定性,增加了產(chǎn)品的可靠性,提高了企業(yè)在業(yè)界的競爭力。
[Abstract]:With the development of integrated circuit manufacturing industry, miniaturization and miniaturization lead to higher and higher requirements for process technology. Among them, the thin film deposition technology (CVD) plays a very important role in promoting. The high density plasma vapor deposition process is an excellent thin film deposition technology and plays an important role in IC manufacturing with its superior performance. Based on the chemical vapor deposition process and taking the high density plasma vapor deposition process as the research object, this paper discusses the important production step of the thin film deposition technology in the integrated circuit manufacturing, and introduces the film deposition technology and process. The differences and relationships among four common film deposition processes are compared. The characteristics, principle, equipment and measurement of high density plasma vapor deposition are described in detail. Aiming at the problem of low yield caused by plasma damage defects in metal layer during production, this paper analyzes and studies the problem of low yield. Based on the study of the mechanism, cause and influencing factors of plasma damage in metal layer, as well as the summary and experiment of working experience, the improvement method of reducing the phenomenon of plasma damage in metal layer is put forward. Thus, the production efficiency and process stability are improved, the reliability of products is increased, and the competitiveness of enterprises in the industry is improved.
【學(xué)位授予單位】：天津大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TN405

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本文編號：1952835