本文選題：過渡金屬二硫族化合物 + FET��； 參考：《人工晶體學報》2017年05期

【摘要】：過渡金屬二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作為一組二維材料具有豐富的物理特性,近幾年因其半導特性在半導體器件上具有重要的應用前景而引其了學界的普遍關(guān)注�？偨Y(jié)了TMDs材料的制備方法及其在場效應管(FET)上的應用研究進展,并對存在的問題以及潛在的研究方向做了展望。
[Abstract]:As a group of two-dimensional materials, transition-metal dichalcogenides (TMDs) has rich physical properties. In recent years, its semiconductive properties have attracted widespread attention due to its important application prospects in semiconductor devices. In this paper, the preparation methods of TMDs materials and their applications in FETs are summarized, and the existing problems and potential research directions are also prospected.
【作者單位】： 福建江夏學院電子信息科學學院;上海大學材料科學與工程學院;有機光電子福建省高校工程研究中心;
【基金】：國家自然科學基金(51503036) 福建省自然科學基金(2017J01733,2015J01654)
【分類號】：TB383.1;TN386
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本文編號：1938381