發(fā)布時(shí)間：2018-05-26 18:21

  本文選題：過渡金屬二硫族化合物 + FET　； 參考：《人工晶體學(xué)報(bào)》2017年05期

【摘要】：過渡金屬二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作為一組二維材料具有豐富的物理特性,近幾年因其半導(dǎo)特性在半導(dǎo)體器件上具有重要的應(yīng)用前景而引其了學(xué)界的普遍關(guān)注�？偨Y(jié)了TMDs材料的制備方法及其在場(chǎng)效應(yīng)管(FET)上的應(yīng)用研究進(jìn)展,并對(duì)存在的問題以及潛在的研究方向做了展望。
[Abstract]:As a group of two-dimensional materials, transition-metal dichalcogenides (TMDs) has rich physical properties. In recent years, its semiconductive properties have attracted widespread attention due to its important application prospects in semiconductor devices. In this paper, the preparation methods of TMDs materials and their applications in FETs are summarized, and the existing problems and potential research directions are also prospected.
【作者單位】： 福建江夏學(xué)院電子信息科學(xué)學(xué)院;上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;有機(jī)光電子福建省高校工程研究中心;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51503036) 福建省自然科學(xué)基金(2017J01733,2015J01654)
【分類號(hào)】：TB383.1;TN386
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本文編號(hào)：1938381