發(fā)布時間：2018-05-24 04:54

  本文選題：熱蒸發(fā) + CdSe薄膜��； 參考：《材料導(dǎo)報》2017年S1期

【摘要】：采用真空熱蒸發(fā)技術(shù)在光學(xué)玻璃基底上制備了CdSe薄膜,研究了真空下不同退火溫度和退火時間對CdSe薄膜晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌的影響。XRD結(jié)果表明,在400~500℃范圍下退火2h、5h的CdSe薄膜晶型不發(fā)生改變,結(jié)晶性隨退火溫度升高而增強,其晶粒尺寸從32nm增加至50nm。SEM結(jié)果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜表面顆粒分布均勻且排列規(guī)則、無裂紋。AFM結(jié)果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜致密性好,表面粗糙度低(5.19nm)。因此采用真空熱蒸發(fā)制備的CdSe薄膜的熱處理條件確定為:退火溫度450℃,退火時間2h。
[Abstract]:The effects of different annealing temperature and annealing time on the crystal structure and surface morphology of CdSe films were studied by vacuum thermal evaporation. The results of the effects of different annealing temperature and annealing time on the crystal structure and surface morphology of the CdSe show that the crystalline form of the CdSe film of 5h is not changed at 400~500 C, and the crystallinity increases with the increase of annealing temperature. The grain size from 32nm to 50nm.SEM shows that the surface particles of the CdSe thin films annealed at 450 C are evenly distributed and arranged regularly. The.AFM results without crack indicate that the CdSe film after annealing at 450 C has a good compactness and low surface roughness (5.19nm). Therefore, the heat treatment conditions of the CdSe thin film prepared by the true air heat evaporation are determined. It is: annealing temperature 450 C, annealing time 2h.
【作者單位】： 西華師范大學(xué)物理與空間科學(xué)學(xué)院;中國科學(xué)院國家天文臺;
【基金】：四川省科技廳應(yīng)用基礎(chǔ)項目(2014JY0133) 中國科學(xué)院太陽活動重點實驗室開放課題(KLSA201514)
【分類號】：TN304.05

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本文編號：1927755