本文選題：憶阻器 + 憶容器�。� 參考：《電子與信息學(xué)報》2017年07期

【摘要】：該文基于憶阻器、憶容器和憶感器的物理模型與記憶機理,提出一種統(tǒng)一形式的記憶器件模型。在此基礎(chǔ)上結(jié)合線性電壓控制浮地阻抗(VCFI)電路與電流積分器,構(gòu)建一種通用的記憶器件模擬器。該電路在拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)保持不變的情況下,通過接入不同性質(zhì)的元件能分別模擬憶阻器、憶容器和憶感器的電學(xué)行為。最后將提出的憶阻器、憶容器和憶感器分別替換RLC串聯(lián)諧振電路中的電阻、電容和電感元件,并從時域和頻域兩方面研究了記憶器件對電路的影響。PSPICE仿真結(jié)果驗證了該模擬器的可行性和有效性。
[Abstract]:Based on the physical model and memory mechanism of memory device, memory container and sensor, a unified memory device model is proposed in this paper. On the basis of this, a general memory device simulator is constructed by combining the linear voltage controlled floating impedance (VCFI) circuit with the current integrator. The circuit can simulate the electrical behavior of the resistor, the memory container and the sensor respectively by connecting different components with the same topology. Finally, the resistor, the memory container and the sensor are proposed to replace the resistors, capacitors and inductors in the RLC series resonant circuit, respectively. The influence of memory devices on the circuit is studied in both time and frequency domain. The simulation results of PSpice verify the feasibility and effectiveness of the simulator.
【作者單位】： 湘潭大學(xué)信息工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61176032) 湖南省自然科學(xué)基金(2015JJ2140,2015JJ2142)~~
【分類號】：TN60;TN70

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本文編號：1913580