本文選題：二端口網(wǎng)絡(luò) + 納米MOSFET　； 參考：《四川大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版)》2017年03期

【摘要】：以雙端口網(wǎng)絡(luò)的分析方法為依托,對40納米MOSFET的毫米波小信號等效電路的弱反區(qū)參數(shù)進(jìn)行提取.該等效電路基于準(zhǔn)靜態(tài)逼近,包括完整的本征準(zhǔn)靜態(tài)MOSFET模型、串聯(lián)的柵極電阻、源極電阻、漏極電阻以及襯底耦合網(wǎng)絡(luò).元件參數(shù)提取分為寄生參數(shù)提取和本征部分提取,是通過其等效電路的開路短路法來簡化等效電路以及分析Y參數(shù)所得,提取的結(jié)果具有物理意義以及其方法能夠去嵌寄生效應(yīng),如器件襯底耦合.
[Abstract]:Based on the analysis method of two-port network, the weak inverse region parameters of millimeter-wave small signal equivalent circuit with 40 nm MOSFET are extracted. The equivalent circuit is based on quasi-static approximation, including complete intrinsic quasi-static MOSFET model, series grid resistance, source resistance, drain resistance and substrate coupling network. The component parameter extraction is divided into parasitic parameter extraction and intrinsic part extraction. It simplifies the equivalent circuit by the open-circuit short-circuit method of its equivalent circuit and analyzes the Y parameter. The extracted results are of physical significance and the method can remove parasitic effects, such as substrate coupling.
【作者單位】： 西南科技大學(xué)信息工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(69901003)
【分類號】：TN386

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本文編號：1913346