本文選題：深硅刻蝕 + 梳齒結構�。� 參考：《微納電子技術》2017年09期

【摘要】：梳齒式電容加速度計對梳齒的形貌有很高的要求,如需要梳齒側壁具有良好的垂直度和粗糙度等。利用深硅刻蝕機對梳齒結構進行加工需要對刻蝕參數(shù)進行分析和調整。以SF_6和C_4F_8為刻蝕氣體,設定深硅刻蝕中極板功率、腔室壓力、刻蝕/鈍化周期、氣體流量等工藝參數(shù),著重研究了刻蝕速率、垂直度、粗糙度、光刻膠選擇比、均勻性等直接影響刻蝕形貌的幾項因素,得到了寬5.3μm、深50μm的溝槽結構,且垂直度為89.5°,側壁凸起高度為83.69 nm,而預期目標為垂直度90°±2°,側壁凸起高度小于120 nm,故結果符合要求。最終將調整好的工藝用于刻蝕SOI片上的梳齒結構,得到了良好的形貌。
[Abstract]:Comb capacitive accelerometers have high requirements for the morphology of comb teeth, such as good perpendicularity and roughness of the side wall of comb teeth. The machining of comb structure with deep silicon etching machine needs to analyze and adjust the etching parameters. With SF_6 and C_4F_8 as etching gas, the process parameters such as plate power, chamber pressure, etching / passivation period, gas flow rate, etch rate, perpendicularity, roughness, photoresist selection ratio were set. Some factors such as homogeneity directly affect the etching morphology, and a groove structure with a width of 5.3 渭 m and a depth of 50 渭 m is obtained. The vertical degree is 89.5 擄, the elevation of the lateral wall is 83.69 nm, and the expected target is 90 擄鹵2 擄, and the height of the side wall is less than 120 nm, so the results meet the requirements. Finally, the adjusted process was used to etch the comb structure on SOI wafer, and a good morphology was obtained.
【作者單位】： 中北大學儀器科學與動態(tài)測試教育部重點實驗室;中北大學電子測試技術重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61604134) 山西省自然科學基金資助項目(2015021114)
【分類號】：TN305.7

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