本文選題：化學機械拋光 + 互連結(jié)構(gòu)��； 參考：《金屬加工(冷加工)》2017年09期

【摘要】：正隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,特征尺寸由目前的22納米(nm)逐漸減小至14 nm。為了克服由此引發(fā)的的一系列問題,銅互連結(jié)構(gòu)發(fā)生了巨大變化,包括使用釕替代鉭/氮化鉭作為阻擋層,使用超低介電常數(shù)電介質(zhì)替代二氧化硅作為絕緣層。上述新型銅互連結(jié)構(gòu)對后段制程的化學機械拋光技術(shù)提出了新的挑戰(zhàn),本文針對這些挑戰(zhàn)開展了系統(tǒng)的研究。在銅拋光階段,使用1,2,4-三唑和低濃度的聚胺Trilon?P組合替代傳統(tǒng)的苯并三氮唑,實現(xiàn)了高的
[Abstract]:With the development of VLSI, the feature size is gradually reduced from 22 nm to 14 nm. In order to overcome a series of problems, copper interconnection structure has undergone great changes, including the use of ruthenium instead of tantalum / tantalum nitride as barrier layer, and the use of ultra-low dielectric constant dielectric instead of silicon dioxide as insulation layer. The new copper interconnection structure presents a new challenge to the chemical-mechanical polishing technology of the back process, which is systematically studied in this paper. In the copper polishing stage, the combination of 1t2n4- triazole and low concentration polyamine Trilon?P is used to replace the traditional benzotriazole, and the high content of benztriazole is achieved.
【作者單位】： 清華大學;中國科學院;
【分類號】：TG175;TG580.692;TN405

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9 王U，

本文編號：1907325