本文選題：電學法 + 大功率IGBT模塊��； 參考：《天津大學學報(自然科學與工程技術(shù)版)》2017年07期

【摘要】：為了表征大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊的瞬態(tài)熱響應(yīng)行為,設(shè)計并實現(xiàn)了一種基于電學法的IGBT模塊瞬態(tài)熱阻測試裝置.通過改變熱阻測試裝置的加熱脈沖持續(xù)時間,使其等于不同材料層的熱時間常數(shù),控制熱流在IGBT模塊封裝材料中的有效傳播路徑,進而獲得各封裝材料的瞬態(tài)熱阻.此外還具體分析了高低電平轉(zhuǎn)換過程中暫態(tài)噪聲和邊界散熱條件對測試結(jié)果精度的影響規(guī)律.結(jié)果表明,該裝置具有較好的精確性和重復性,這將有助于準確無損分析器件及不同封裝材料在瞬態(tài)條件下的散熱性能,指導IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計和封裝材料選擇.
[Abstract]:In order to characterize the transient thermal response behavior of high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) module, a transient thermal resistance testing device for IGBT module based on electrical method is designed and implemented. By changing the duration of the heating pulse of the thermal resistance testing device and making it equal to the thermal time constant of different material layers, the effective path of heat flow in the IGBT module packaging material is controlled, and the transient thermal resistance of each package material is obtained. In addition, the influence of transient noise and boundary heat dissipation on the accuracy of the test results is analyzed in detail. The results show that the device has good accuracy and repeatability, which will be helpful to accurately and nondestructive analysis of the heat dissipation performance of devices and different packaging materials under transient conditions, and guide the design of IGBT module packaging structure and the selection of packaging materials.
【作者單位】： 天津大學材料科學與工程學院;中國科學院瞬態(tài)光學與光子技術(shù)國家重點實驗室;天津大學化工學院;
【基金】：國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(863計劃)資助項目(2015AA034501) 國家自然科學基金資助項目(61334010) 天津市科技支撐計劃資助項目(13ZCZDGX01106) 瞬態(tài)光學與光子技術(shù)國家重點實驗室開放課題資助項目(SKLST201607)~~
【分類號】：TN322.8

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本文編號：1892751