本文選題：化學(xué)機(jī)械拋光 + CZT晶體　； 參考：《紅外技術(shù)》2017年01期

【摘要】：本文以硅溶膠為磨料顆粒、次氯酸鈉(NaClO)為氧化劑制備適用于CZT晶片的化學(xué)機(jī)械拋光液。采用XPS能譜分析CZT表面元素化學(xué)態(tài),研究CZT化學(xué)機(jī)械拋光過程中拋光液的化學(xué)作用機(jī)理,使用激光干涉儀、原子力顯微鏡研究拋光液中NaClO含量對(duì)晶片拋光速率、晶片表面PV值及表面粗糙度Ra的影響。結(jié)果表明,硅溶膠-次氯酸鈉拋光液通過與CZT晶體中Te單質(zhì)或CdTe發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成TeO_2。隨后在一定壓力下,拋光盤與CZT晶片發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng),并在硅溶膠磨料顆粒的輔助作用下去除反應(yīng)物。當(dāng)NaClO含量在2%~10%時(shí),隨著NaClO含量的增加,晶片表面PV值和粗糙度Ra值先降低后升高,去除速率則隨著NaClO含量的增加而增加。NaClO含量為6%時(shí),PV值和Ra值最低,得到的晶片表面質(zhì)量最好。
[Abstract]:In this paper, a chemical-mechanical polishing solution suitable for CZT wafer was prepared by using silica sol as abrasive particle and sodium hypochlorite (NaClO) as oxidant. The chemical states of elements on the surface of CZT were analyzed by XPS spectroscopy. The chemical mechanism of polishing solution in the process of CZT chemical-mechanical polishing was studied. The effect of NaClO content in the polishing solution on the polishing rate of wafer was studied by laser interferometer and atomic force microscope. The effect of surface PV value and surface roughness Ra on wafer surface. The results show that the silica sol-sodium hypochlorite polishing solution reacts with Te or CdTe in CZT crystal to form Teo _ s _ 2. Then under a certain pressure, the disk and the CZT wafer moved relatively, and the reactants were removed by the assistance of silica sol abrasive particles. When the NaClO content ranged from 2 to 10, with the increase of NaClO content, the PV value and roughness Ra value of wafer surface decreased first and then increased, and the removal rate increased with the increase of NaClO content. The surface quality of the obtained wafer is the best.
【作者單位】： 上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院紅外成像材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：紅外成像與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放基金項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TN305.2

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本文編號(hào)：1890927