本文選題：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊 + 可靠性　； 參考：《半導體技術》2017年02期

【摘要】：介紹了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊鍵合引線脫落和焊料層疲勞兩種主要的失效形式,分析了各自的失效機理。從IGBT功率模塊失效發(fā)生部位的角度出發(fā),即按照基于封裝失效的狀態(tài)監(jiān)測技術和基于芯片失效的狀態(tài)監(jiān)測技術的分類方法,綜述了國內(nèi)外IGBT狀態(tài)監(jiān)測技術,總結了兩種主要失效形式的外部特征參量的變化,認為IGBT狀態(tài)監(jiān)測技術是進行故障預測及診斷、提高IGBT功率模塊可靠性、減少經(jīng)濟損失的重要方法。對各種監(jiān)測方法的優(yōu)缺點及可行性進行了分析,探討了其進一步的發(fā)展方向,對如何準確獲取狀態(tài)參量、如何提高狀態(tài)監(jiān)測技術的準確性等關鍵問題進行了展望。
[Abstract]:In this paper , two main failure modes of IGBT power module bonding wire shedding and solder layer fatigue are introduced . The failure mechanism of IGBT is analyzed . Based on the state monitoring technology based on package failure and the classification method based on the state monitoring technology based on chip failure , this paper summarizes the changes of the external characteristic parameters of IGBT power module . It is concluded that IGBT state monitoring technology is an important method to predict and diagnose faults , improve the reliability of IGBT power module and reduce economic loss .

【作者單位】： 河北工業(yè)大學電氣工程學院;
【基金】：國家科技支撐計劃資助項目(2015BAA09B01) 國家自然科學基金資助項目(51377044) 河北省科技計劃資助項目(14214503D,13214303D)
【分類號】：TN322.8

【參考文獻】

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【共引文獻】

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本文編號：1890804