本文選題：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊 + 可靠性��； 參考：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年02期

【摘要】：介紹了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊鍵合引線脫落和焊料層疲勞兩種主要的失效形式,分析了各自的失效機(jī)理。從IGBT功率模塊失效發(fā)生部位的角度出發(fā),即按照基于封裝失效的狀態(tài)監(jiān)測(cè)技術(shù)和基于芯片失效的狀態(tài)監(jiān)測(cè)技術(shù)的分類方法,綜述了國(guó)內(nèi)外IGBT狀態(tài)監(jiān)測(cè)技術(shù),總結(jié)了兩種主要失效形式的外部特征參量的變化,認(rèn)為IGBT狀態(tài)監(jiān)測(cè)技術(shù)是進(jìn)行故障預(yù)測(cè)及診斷、提高IGBT功率模塊可靠性、減少經(jīng)濟(jì)損失的重要方法。對(duì)各種監(jiān)測(cè)方法的優(yōu)缺點(diǎn)及可行性進(jìn)行了分析,探討了其進(jìn)一步的發(fā)展方向,對(duì)如何準(zhǔn)確獲取狀態(tài)參量、如何提高狀態(tài)監(jiān)測(cè)技術(shù)的準(zhǔn)確性等關(guān)鍵問(wèn)題進(jìn)行了展望。
[Abstract]:In this paper , two main failure modes of IGBT power module bonding wire shedding and solder layer fatigue are introduced . The failure mechanism of IGBT is analyzed . Based on the state monitoring technology based on package failure and the classification method based on the state monitoring technology based on chip failure , this paper summarizes the changes of the external characteristic parameters of IGBT power module . It is concluded that IGBT state monitoring technology is an important method to predict and diagnose faults , improve the reliability of IGBT power module and reduce economic loss .

【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家科技支撐計(jì)劃資助項(xiàng)目(2015BAA09B01) 國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51377044) 河北省科技計(jì)劃資助項(xiàng)目(14214503D,13214303D)
【分類號(hào)】：TN322.8

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1890804