本文選題：碲鎘汞 + 高工作溫度�。� 參考：《紅外技術(shù)》2017年02期

【摘要】：介紹了歐美發(fā)達(dá)國(guó)家在高工作溫度碲鎘汞中波紅外探測(cè)器上的工藝技術(shù)路線及典型產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)。對(duì)昆明物理研究所研制的基于標(biāo)準(zhǔn)n-on-p(Hg空位摻雜)工藝的中波640×512(15μm)探測(cè)器進(jìn)行了高工作溫度性能測(cè)試,測(cè)試結(jié)果顯示器件性能基本達(dá)到國(guó)外產(chǎn)品的同期研制水平。
[Abstract]:The technological route and typical product technical index of high temperature mercury cadmium telluride medium wave infrared detector in developed countries in Europe and America are introduced in this paper. The high working temperature performance of the MW 640 脳 512C15 渭 m detector based on the standard n-on-p(Hg vacancy doping process developed by Kunming Institute of Physics has been tested. The test results show that the performance of the device is basically up to the same level as that of the foreign products developed at the same time.
【作者單位】： 昆明物理研究所;
【分類號(hào)】：TN215

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6 趙Z礞，

本文編號(hào)：1890741