本文選題：換流閥 + 壓接型絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)器件　； 參考：《半導體技術(shù)》2017年09期

【摘要】：功率損耗一直是功率半導體器件應用時備受關(guān)注的問題。壓接型絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)器件靠外部壓力使內(nèi)部各個組件保持電氣和機械連接,因此壓力直接或間接地影響著壓接型IGBT器件的功率損耗。將壓接型IGBT器件工作時產(chǎn)生的結(jié)溫作為耦合變量引入,基于此建立了IGBT器件應用于調(diào)制脈寬(PWM)換流設備時的功率損耗計算模型,并詳細分析了影響功率損耗的各種因素,包括機械壓力、開關(guān)頻率等。以換流閥用3 300 V/1 500 A壓接型IGBT器件為例,采用有限元法研究了壓力對壓接型IGBT器件功率損耗的影響,重點探討了器件內(nèi)部各芯片功率損耗的變化情況。結(jié)果表明,增加壓力一定程度上可以降低壓接型IGBT器件的功率損耗,改善器件內(nèi)部芯片結(jié)溫分布不均的問題。
[Abstract]:Power loss has always been the focus of attention in the application of power semiconductor devices. The internal components of the IGBT devices are connected by external pressure, so the pressure directly or indirectly affects the power loss of the IGBT devices. In this paper, the junction temperature generated during the operation of IGBT is introduced as a coupling variable. Based on this, a power loss calculation model for IGBT devices used in modulation pulse width converter is established, and various factors affecting the power loss are analyzed in detail. Including mechanical pressure, switching frequency, etc. Taking the 3 300V / 1 500A IGBT device as an example, the influence of pressure on the power loss of the IGBT device is studied by finite element method, and the variation of the power loss of each chip inside the device is emphatically discussed. The results show that increasing the pressure can reduce the power loss of IGBT devices and improve the uneven distribution of chip temperature inside the devices.
【作者單位】： 華北電力大學新能源電力系統(tǒng)國家重點實驗室;國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院;
【基金】：國家電網(wǎng)公司科技項目(5455GB160006,5455DW150011)
【分類號】：TN322.8

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本文編號：1880240