本文選題：半導(dǎo)體激光器 + MOCVD�。� 參考：《半導(dǎo)體光電》2016年04期

【摘要】：為了對980nm大功率半導(dǎo)體激光器的波導(dǎo)層和有源層外延材料進行快速表征,設(shè)計了相應(yīng)的雙異質(zhì)結(jié)(DH)結(jié)構(gòu)和量子阱(QW)結(jié)構(gòu),并在不同條件下進行了MOCVD外延生長,通過室溫?zé)晒庾V測試分析,得到Al0.1Ga0.9As波導(dǎo)層的最佳生長溫度為675℃,InGaAs QW的最佳長溫度為575℃。為了兼顧波導(dǎo)層需高溫生長和QW層需低溫生長的需求,提出在InGaAs QW附近引入Al_(0.1)Ga_(0.9)As薄間隔層的變溫停頓生長方法,通過優(yōu)化間隔層的厚度,InGaAs QW在室溫下的PL譜的峰值半高寬只有23meV�；趦�(yōu)化的外延工藝參數(shù),進行了980nm大功率半導(dǎo)體激光器的外延生長,并制備了腔長4mm、條寬95μm的脊形器件。結(jié)果顯示,在沒有采取任何主動散熱情況下,器件在30A注入電流下仍未出現(xiàn)腔面災(zāi)變損傷,輸出功率達(dá)到23.6W。
[Abstract]:In order to rapidly characterize the waveguide layer and active layer epitaxial material of 980nm high power semiconductor laser, the corresponding double heterojunction structure and quantum well QW structure are designed, and the MOCVD epitaxial growth is carried out under different conditions. The optimum growth temperature of Al0.1Ga0.9As waveguide layer is 675 鈩，

本文編號：1877142