本文選題：氧化鎳 + 納米薄膜　； 參考：《天津理工大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜氣敏傳感器因?yàn)槠潇`敏度高、響應(yīng)時(shí)間和恢復(fù)時(shí)間短、選擇性好以及可以與傳統(tǒng)的CMOS工藝相兼容等優(yōu)點(diǎn)成為下一代甲醛氣敏傳感器的有力競(jìng)爭(zhēng)者。近年來(lái),p型半導(dǎo)體因?yàn)檫x擇性好、穩(wěn)定性高以及具有一定的催化特性等優(yōu)點(diǎn)引起了研究者的關(guān)注�；谝陨峡紤],本論文選用p型半導(dǎo)體Ni O作為制備甲醛氣敏傳感器的敏感材料,開(kāi)展關(guān)于Ni O薄膜基甲醛氣敏特性及其改性的研究,提升Ni O對(duì)甲醛氣體的靈敏度。具體的研究?jī)?nèi)容如下:(1)使用射頻磁控濺射法在Si襯底上沉積Ni O薄膜,并且系統(tǒng)的研究了氧分壓、外加偏壓以及薄膜厚度對(duì)薄膜晶格結(jié)構(gòu)、表面形貌以及表面分子成鍵的影響。之后在Ti叉指電極上沉積Ni O薄膜,制備出甲醛氣敏傳感器,對(duì)Ni O薄膜的氣敏特性進(jìn)行了研究。結(jié)果表明,具備較小的晶粒尺寸、較大的表面粗糙度以及(111)晶面衍射峰占主導(dǎo)的Ni O薄膜對(duì)甲醛氣體的靈敏度較高。(2)研究了共濺摻雜的Ni O薄膜對(duì)甲醛氣敏特性的影響,并對(duì)摻雜Ni O的結(jié)構(gòu)特性以及甲醛氣敏特性進(jìn)行了表征和測(cè)試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:Zn摻雜以及Cu摻雜改變了Ni O薄膜的晶格結(jié)構(gòu)以及表面晶粒尺寸,未摻雜的Ni O薄膜對(duì)甲醛氣體的靈敏度為0.08/ppm,摻雜Zn的Ni O薄膜對(duì)甲醛氣體的靈敏度上升到0.39/ppm。(3)使用Zn O對(duì)Ni O薄膜進(jìn)行表面修飾,通過(guò)改變修飾的Zn O厚度,研究Zn O表面修飾對(duì)Ni O薄膜甲醛氣敏特性的影響。研究表明,Zn O修飾存在最佳的修飾厚度可以提升Ni O薄膜的甲醛氣敏特性,并且修飾的Zn O以及未被Zn O覆蓋的Ni O共同影響薄膜對(duì)甲醛氣體的氣敏特性。
[Abstract]:In recent years , p - type semiconductor Ni - O film is used as a sensitive material for preparing formaldehyde gas - sensitive sensor , and the sensitivity of Ni - O thin film to formaldehyde gas is studied . The results show that Zn - doped and Cu - doped have a high sensitivity to formaldehyde gas .

【學(xué)位授予單位】：天津理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類(lèi)號(hào)】：TN304;TP212

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本文編號(hào)：1861015