本文選題：高效多晶硅錠 + 隔熱籠　； 參考：《鑄造技術(shù)》2017年10期

【摘要】：在多晶硅錠生長過程中,通過控制鑄錠爐內(nèi)隔熱籠提升速度,可以獲得雜質(zhì)較少、少子壽命較長的高效多晶硅錠。試驗將隔熱籠提升速度分別設(shè)置為:1、5和12 mm/h。采用數(shù)值分析軟件計算了硅錠內(nèi)部的溫度分布,并理論分析了產(chǎn)生該現(xiàn)象的原因。結(jié)果表明:隔熱籠提升速度設(shè)置為5 mm/h時,硅錠整體缺陷相對較少、絕大部分雜質(zhì)富集在硅錠周圍且少子壽命較長區(qū)域所占比例較大。
[Abstract]:During the growth of polysilicon ingot, the high efficiency polysilicon ingot with less impurity and longer minority carrier life can be obtained by controlling the speed of heat insulation cage in the ingot furnace. The test set the hoisting speed of the cage to 1: 1 and 12 mm / h, respectively. The temperature distribution in silicon ingot is calculated by numerical analysis software, and the reason of this phenomenon is analyzed theoretically. The results show that when the lifting speed of the cage is set to 5 mm/h, the overall defects of the ingot are relatively small, and most of the impurities are concentrated around the ingot and the minority carrier lifetime is larger.
【作者單位】： 太原理工大學(xué)物理與光電工程學(xué)院;中國電子科技集團公司第二研究所;山西中電科新能源技術(shù)有限公司;
【基金】：山西省自然科學(xué)基金資助項目(2016011048)
【分類號】：TN304.12

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本文編號：1860910