本文選題：場致發(fā)射 + Spindt陰極��； 參考：《蘭州大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版)》2017年05期

【摘要】：結(jié)合聚苯乙烯納米球自組裝技術(shù)和微機械制造技術(shù)提供了一種制備Spindt場致發(fā)射陣列陰極的新方法,并成功制備了集成度較高且均勻分布的微孔陣列,微孔孔徑為300~500 nm,絕緣層厚度為500 nm,孔間距為750 nm,微孔集成度達(dá)到10~8個/cm~2,是普通光刻技術(shù)的10倍以上.利用CST粒子工作室的質(zhì)點網(wǎng)格求解器對該工藝方法制備的Spindt陰極的場致發(fā)射特性進(jìn)行了數(shù)值仿真,結(jié)果表明發(fā)射尖端曲率半徑、柵極孔徑以及尖端相對柵極的高度是影響發(fā)射電流的決定因素.
[Abstract]:Combined with polystyrene nanospheres self-assembly technology and micromechanical fabrication technology, a new method for fabricating Spindt field emission array cathode was proposed, and a highly integrated and uniformly distributed microporous array was successfully fabricated. The pore diameter is 300 ~ 500 nm, the thickness of insulating layer is 500 nm, the hole spacing is 750 nm, the integration of micropore is 10 ~ 8 / cm ~ (-2), which is more than 10 times of that of ordinary lithography. The field emission characteristics of the Spindt cathode prepared by this process are numerically simulated by using the particle mesh solver of the CST particle studio. The results show that the radii of curvature of the emission tip are obtained. The aperture of the grid and the height of the tip relative to the grid are the determinants of the emission current.
【作者單位】： 蘭州大學(xué)核科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;中國工程物理研究院電子工程研究所;電子科技大學(xué)物理電子學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(11475075)
【分類號】：O632.13;TN104

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本文編號：1858912