發(fā)布時(shí)間：2018-05-07 12:38

  本文選題：H-SiC + 肖特基勢壘二極管��； 參考：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年03期

【摘要】：基于數(shù)值仿真結(jié)果,采用結(jié)勢壘肖特基(JBS)結(jié)構(gòu)和多重場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二極管(SBD),所用4H-Si C外延材料厚度為35μm、n型摻雜濃度為2×1015cm-3。二極管芯片面積為49 mm2,正向電壓2.2 V下電流達(dá)到50 A,比導(dǎo)通電阻13.7 mΩ·cm2;反偏條件下器件的雪崩擊穿電壓為4 600 V。基于這種3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二極管,研制出3 300 V/600 A混合功率模塊,該模塊包含24只3 300 V/50 A Si IGBT與12只3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二極管,Si C肖特基二極管為模塊的續(xù)流二極管。模塊的動(dòng)態(tài)測試結(jié)果為:反向恢復(fù)峰值電流為33.75 A,反向恢復(fù)電荷為0.807μC,反向恢復(fù)時(shí)間為41 ns。與傳統(tǒng)的Si基IGBT模塊相比,該混合功率模塊顯著降低了器件開關(guān)過程中的能量損耗。
[Abstract]:Based on the numerical simulation results, the 3300 V/50 A 4H-Si C Schottky diode (SBD) is realized by the structure of the junction barrier Schottky (JBS) and the multiple field limit ring terminal structure. The thickness of the 4H-Si C epitaxial material is 35 u m, the N doping concentration is 2 * 1015cm-3. diode chip area is 49 mm2, the forward voltage is 2.2 and the current is 50, and the resistance 13 is 13. .7 m Omega cm2, the avalanche breakdown voltage of the device is 4600 V. based on this 3300 V/50 A 4H-Si C Schottky diode, and has developed a 3300 V/600 A hybrid power module. This module contains 24 3300 V/50 A and 12 3300 Schottky Schottky diodes. The dynamic test results of the block are as follows: the peak current of the reverse recovery is 33.75 A, the reverse recovery charge is 0.807 Mu and the reverse recovery time is 41 ns., compared with the traditional Si based IGBT module. The hybrid power module significantly reduces the energy loss during the switch process.

【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;
【基金】：國家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)資助項(xiàng)目(2014AA052401)
【分類號】：TN304.24;TN311.7

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