本文選題：熱擊穿 + 頻率��； 參考：《物理學(xué)報(bào)》2017年01期

【摘要】：針對(duì)半導(dǎo)體器件中的熱擊穿,通過分析已有的理論模型,把頻率對(duì)器件熱區(qū)熱產(chǎn)生和熱傳導(dǎo)的影響引入理論模型.利用格林函數(shù)求解熱傳輸方程,同時(shí)對(duì)余誤差函數(shù)進(jìn)行近似處理,求解得到熱區(qū)溫度以及器件燒毀功率與頻率和脈沖寬度的表達(dá)式.通過數(shù)值分析,求解得到不同頻率下器件燒毀功率隨脈沖寬度的變化規(guī)律以及不同脈沖寬度下器件燒毀功率隨頻率的變化規(guī)律,同時(shí)給出了頻率對(duì)器件燒毀功率影響的物理解釋.
[Abstract]:In view of thermal breakdown in semiconductor devices, the influence of frequency on the thermal generation and conduction of semiconductor devices is introduced by analyzing the existing theoretical models. The Green's function is used to solve the heat transfer equation and the residual error function is approximated to obtain the expressions of the heat region temperature, the device burnout power, the frequency and the pulse width. Through numerical analysis, the variation of device burnout power with pulse width at different frequencies and the variation law of device burning power with frequency under different pulse widths are obtained. At the same time, the physical explanation of the influence of frequency on the device burnout power is given.
【作者單位】： 西北核技術(shù)研究所高功率微波技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】：TN303

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本文編號(hào)：1856596