發(fā)布時(shí)間：2018-05-06 00:19

  本文選題：駐波振蕩器 + 可變電容　； 參考：《浙江大學(xué)學(xué)報(bào)(工學(xué)版)》2017年01期

【摘要】：介紹采用基于反型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IMOS)的變?nèi)荻䴓O管(varactor)實(shí)現(xiàn)頻率可調(diào)節(jié)駐波振蕩器的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),通過(guò)仿真對(duì)比駐波振蕩器中可變電容集總式分布和離散式分布對(duì)頻率調(diào)節(jié)范圍和功耗的影響.在65nm工藝下的仿真結(jié)果表明,集總式分布的可變電容可以使駐波振蕩器以較小的功耗增長(zhǎng)獲得更大的頻率調(diào)節(jié)范圍,頻率調(diào)節(jié)范圍可以達(dá)到20%.基于該振蕩器提出全局同步芯片、全局異步局部同步芯片中時(shí)鐘系統(tǒng)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),通過(guò)仿真測(cè)試這些時(shí)鐘系統(tǒng)在不同溫度波動(dòng)、電壓波動(dòng)和工藝偏差下的頻率變化.仿真結(jié)果表明,這些結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)高頻時(shí)鐘在指定芯片區(qū)域內(nèi)的高可靠、可調(diào)節(jié)傳輸.
[Abstract]:This paper introduces the design structure of frequency adjustable standing wave oscillator using varactor-based varactor-based variable-volume diode based on inverse metal oxide semiconductor field effect transistor (IMOS). The effects of variable capacitance lumped distribution and discrete distribution on frequency regulation range and power consumption are compared by simulation. The simulation results under the 65nm process show that the variable-capacitance with lumped distribution can make the VWO gain a wider range of frequency regulation with smaller power consumption, and the range of frequency regulation can reach 20%. Based on the oscillator, a global synchronous chip and a clock system structure in the global asynchronous local synchronous chip are proposed. The frequency changes of these clock systems under different temperature fluctuations, voltage fluctuations and process deviations are tested by simulation. Simulation results show that these structures can achieve high reliability and adjustable transmission of high frequency clock in specified chip area.
【作者單位】： 復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：上�？莆Y助項(xiàng)目(14510711500;15511108100)
【分類(lèi)號(hào)】：TN752;TN402

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本文編號(hào)：1849925