本文選題：半導(dǎo)體材料 + p-n結(jié)��； 參考：《功能材料》2017年02期

【摘要】：采用傳統(tǒng)方法向晶體硅中擴(kuò)磷不僅耗時(shí)長(zhǎng),而且能耗多。使用快速熱處理(RTP)方法可以在數(shù)十秒時(shí)間內(nèi)達(dá)到磷擴(kuò)散深度和濃度的要求,具有廣闊前景。使用磷紙作為擴(kuò)散源,結(jié)合快速熱處理法對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行磷擴(kuò)散,用磨角染色法探究擴(kuò)散結(jié)深,獲得了最為理想的p-n結(jié)擴(kuò)散溫度及時(shí)間。通過(guò)計(jì)算快速熱處理?xiàng)l件下磷在硅中的擴(kuò)散系數(shù)以及擴(kuò)散激活能,分析了與傳統(tǒng)擴(kuò)散方法不同的原因。
[Abstract]:The traditional method is used to spread phosphorus into crystal silicon, which not only takes a long time, but also consumes more energy. The rapid heat treatment (RTP) method can meet the requirements of phosphorus diffusion depth and concentration in tens of seconds, and has a broad prospect. Phosphorus paper was used as a diffusion source and p-type single crystal silicon wafer was diffused by rapid heat treatment. The diffusion depth of p-n junction was investigated by grinding angle staining method. The most ideal diffusion temperature and time of p-n junction were obtained. By calculating the diffusion coefficient and diffusion activation energy of phosphorus in silicon under the condition of rapid heat treatment, the reasons different from the traditional diffusion methods were analyzed.
【作者單位】： 華北電力大學(xué)可再生能源學(xué)院;北京科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61006050,61076051) 北京市自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2151004) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)基金資助項(xiàng)目(13ZD05) 中央高�；究蒲袑ｍ�(xiàng)資金資助項(xiàng)目(2016MS50)
【分類號(hào)】：TN304.12

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10 徐]好，

本文編號(hào)：1849061