本文選題：絕緣柵雙極晶體管 + 注入增強(qiáng)　； 參考：《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》2017年05期

【摘要】：Nakagawa-limit是基于硅基極窄臺(tái)面間距IGBT提出的理論假設(shè),發(fā)射極區(qū)只有電子電流流過,空穴電流只對電導(dǎo)調(diào)制有貢獻(xiàn)。分別引入載流子存儲(chǔ)層和P-ring結(jié)構(gòu),通過數(shù)值模擬分析方法,研究了改進(jìn)結(jié)構(gòu)對通態(tài)壓降的降低情況;引入虛擬元胞結(jié)構(gòu),更進(jìn)一步降低通態(tài)壓降。模擬結(jié)果表明,4.5kV器件通態(tài)比電阻在電流密度為500A/cm~2時(shí)可降低至27.2mΩ·cm~2,介于傳統(tǒng)SiIGBT和Nakagawa理論預(yù)測值的中間。
[Abstract]:Nakagawa-limit is based on the theoretical assumption proposed by IGBT that the silicon base has a narrow Mesa spacing. The emitter region only flows through the electron current and the hole current only contributes to the conductance modulation. With the introduction of carrier storage layer and P-ring structure, the reduction of on-state pressure drop by the improved structure is studied by numerical simulation, and the on-state pressure drop is further reduced by the introduction of virtual cell structure. The simulation results show that the on-state specific resistance of 4.5kV devices can be reduced to 27.2m 惟 cm-2 at the current density of 500A / cm ~ 2, which is between the predicted values of traditional SiIGBT and Nakagawa theory.
【作者單位】： 西安理工大學(xué)電子工程系;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51477137) 西安理工大學(xué)博士啟動(dòng)金資助項(xiàng)目(211317) 西安市產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新計(jì)劃資助項(xiàng)目(CXY1501)
【分類號(hào)】：TN322.8

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本文編號(hào)：1842621